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公开(公告)号：CN106992121A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611078504.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明的目的在于提供一种将在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生的台阶去除的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，使用第1高频电源所输出的第1高频电力而从含有含氟气体的第1处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻；第2工序，其在所述第1工序之后，在该第2工序中，使用所述第1高频电力而从含有含溴气体的第2处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对所述层叠膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN106067418A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610252496.0
申请日：2016-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3105
Abstract: [课题]提供一种蚀刻处理方法，目的在于缩短对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻时的加工时间、提高生产率。[解决手段]通过等离子体生成用的高频电力，由含氢气体和含氟气体生成等离子体；在‑30℃以下的极低温环境中，利用生成的等离子体对氧化硅膜和氮化硅膜的蚀刻对象膜进行蚀刻；所述蚀刻中，按照对一个蚀刻对象膜进行蚀刻的第1蚀刻的蚀刻速率与对结构不同于所述一个蚀刻对象膜的其他蚀刻对象膜进行蚀刻的第2蚀刻的蚀刻速率之差为±20％以内的方式进行控制。
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公开(公告)号：CN106067418B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610252496.0
申请日：2016-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3105
Abstract: [课题]提供一种蚀刻处理方法，目的在于缩短对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻时的加工时间、提高生产率。[解决手段]通过等离子体生成用的高频电力，由含氢气体和含氟气体生成等离子体；在‑30℃以下的极低温环境中，利用生成的等离子体对氧化硅膜和氮化硅膜的蚀刻对象膜进行蚀刻；所述蚀刻中，按照对一个蚀刻对象膜进行蚀刻的第1蚀刻的蚀刻速率与对结构不同于所述一个蚀刻对象膜的其他蚀刻对象膜进行蚀刻的第2蚀刻的蚀刻速率之差为±20％以内的方式进行控制。
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公开(公告)号：CN106952798B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201611165712.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高在对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻之际的基板的温度控制性和蚀刻的均匀性的蚀刻方法。一种蚀刻方法，其具有如下工序：第1工序，在该第1工序中，在晶圆的温度是－35℃以下的极低温环境中，从第1高频电源输出第1高频的电力，从第2高频电源输出频率比所述第1高频低的第2高频的电力，从含氢气体以及含氟气体生成等离子体，利用等离子体对层叠氧化硅膜以及氮化硅膜而成的层叠膜和氧化硅膜的单层膜进行蚀刻；第2工序，在该第2工序中，停止所述第2高频电源的输出，反复进行多次所述第1工序和所述第2工序，所述第1工序的时间比所述第2工序的时间短。
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公开(公告)号：CN106992121B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201611078504.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明的目的在于提供一种将在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生的台阶去除的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，使用第1高频电源所输出的第1高频电力而从含有含氟气体的第1处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜与氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻；第2工序，其在所述第1工序之后，在该第2工序中，使用所述第1高频电力而从含有含溴气体的第2处理气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对所述层叠膜进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110246760A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910508471.6
申请日：2016-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: [课题]提供一种蚀刻方法，目的在于缩短对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻时的加工时间、提高生产率。[解决手段]一种蚀刻方法，其为在内部具有下部电极的处理容器内对基板进行蚀刻的方法，所述基板具有：由氧化硅膜形成的单层膜；和、将氧化硅膜与氮化硅膜层叠而得到的层叠膜，所述方法具备：将所述基板载置于所述下部电极的工序；将所述下部电极设定为-30℃以下的工序；以及在所述处理容器内，利用由含氢气体和含氟气体生成的等离子体对所述单层膜和所述层叠膜进行蚀刻的工序，所述单层膜的蚀刻速率相对于所述层叠膜的蚀刻速率为0.8～1.2倍。
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公开(公告)号：CN106952798A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611165712.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32137 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高在对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻之际的基板的温度控制性和蚀刻的均匀性的蚀刻方法。一种蚀刻方法，其具有如下工序：第1工序，在该第1工序中，在晶圆的温度是－35℃以下的极低温环境中，从第1高频电源输出第1高频的电力，从第2高频电源输出频率比所述第1高频低的第2高频的电力，从含氢气体以及含氟气体生成等离子体，利用等离子体对层叠氧化硅膜以及氮化硅膜而成的层叠膜和氧化硅膜的单层膜进行蚀刻；第2工序，在该第2工序中，停止所述第2高频电源的输出，反复进行多次所述第1工序和所述第2工序，所述第1工序的时间比所述第2工序的时间短。
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公开(公告)号：CN119585851A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380053613.9
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 提供一种控制程序、信息处理程序、控制方法、信息处理方法、等离子体处理装置以及信息处理装置。一种控制程序，是通过向等离子体生成源供给源电力并向载置作为处理对象的基板的载置台供给偏置电力来进行等离子体处理的等离子体处理装置的控制程序，控制程序用于使计算机执行以下过程：观测源电力和偏置电力的峰间电压；以及调整作为用于控制观测到的峰间电压的变动幅度的调整用参数的、向等离子体生成源供给的源电力、向载置台供给的偏置电力、向配置于载置台的周围的外周构件施加的直流电压、以及连接在直流电压的供给源与外周构件之间的滤波器电路的阻抗。
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公开(公告)号：CN110246760B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201910508471.6
申请日：2016-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: [课题]提供一种蚀刻方法，目的在于缩短对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻时的加工时间、提高生产率。[解决手段]一种蚀刻方法，其为在内部具有下部电极的处理容器内对基板进行蚀刻的方法，所述基板具有：由氧化硅膜形成的单层膜；和、将氧化硅膜与氮化硅膜层叠而得到的层叠膜，所述方法具备：将所述基板载置于所述下部电极的工序；将所述下部电极设定为‑30℃以下的工序；以及在所述处理容器内，利用由含氢气体和含氟气体生成的等离子体对所述单层膜和所述层叠膜进行蚀刻的工序，所述单层膜的蚀刻速率相对于所述层叠膜的蚀刻速率为0.8～1.2倍。
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公开(公告)号：CN105390387A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510542329.5
申请日：2015-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J2237/334 , H01L21/0332 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中，交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。
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