公开(公告)号：CN105390387B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201510542329.5

申请日：2015-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤祐介 ,  长友优 ,  菱沼隼 ,  髙山航 ,  冨永翔 ,  金子雄基

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中，交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。

公开(公告)号：CN111681956A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010143971.7

申请日：2020-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱沼隼 ,  广瀬久

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。[课题]提供能良好地并行地形成长度不同的多个孔的技术。[解决方案]通过示例的实施方式的等离子体处理方法处理的被加工物具备硅氧化物的第1层和包含碳的第2层，重复执行的处理程序如下：生成第1气体的等离子体，以第2层为掩模，对被加工物进行蚀刻，然后，生成第2气体的等离子体，进行蚀刻。第1气体包含由碳原子和氟原子构成的气体，第2气体包含由碳原子、氟原子和氢原子构成的气体，生成第1气体的等离子体而进行的蚀刻中，由第1气体的等离子体生成高阶的氟化碳，生成第2气体的等离子体而进行的蚀刻中，由第2气体的等离子体生成低阶的氟化碳或低阶的氢氟烃。

公开(公告)号：CN111681956B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010143971.7

申请日：2020-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱沼隼 ,  广瀬久

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。[课题]提供能良好地并行地形成长度不同的多个孔的技术。[解决方案]通过示例的实施方式的等离子体处理方法处理的被加工物具备硅氧化物的第1层和包含碳的第2层，重复执行的处理程序如下：生成第1气体的等离子体，以第2层为掩模，对被加工物进行蚀刻，然后，生成第2气体的等离子体，进行蚀刻。第1气体包含由碳原子和氟原子构成的气体，第2气体包含由碳原子、氟原子和氢原子构成的气体，生成第1气体的等离子体而进行的蚀刻中，由第1气体的等离子体生成高阶的氟化碳，生成第2气体的等离子体而进行的蚀刻中，由第2气体的等离子体生成低阶的氟化碳或低阶的氢氟烃。

公开(公告)号：CN105390387A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510542329.5

申请日：2015-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤祐介 ,  长友优 ,  菱沼隼 ,  髙山航 ,  富永翔 ,  金子雄基

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中，交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。