公开(公告)号：CN105390387B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201510542329.5

申请日：2015-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤祐介 ,  长友优 ,  菱沼隼 ,  髙山航 ,  冨永翔 ,  金子雄基

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中，交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。

公开(公告)号：CN107833831B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201710827662.X

申请日：2017-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 后平拓 ,  冨永翔

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的方法。一实施方式的方法包括：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN107833831A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710827662.X

申请日：2017-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 后平拓 ,  冨永翔

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L22/26 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的方法。一实施方式的方法包括：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN113936987B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202111186066.0

申请日：2017-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 后平拓 ,  冨永翔

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置包括控制部，其执行以下步骤，即：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN113936987A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111186066.0

申请日：2017-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 后平拓 ,  冨永翔

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供有选择地且高效地蚀刻氧化硅和氮化硅的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置包括控制部，其执行以下步骤，即：在腔室内准备被加工物的步骤；在被加工物的温度被设定为第一温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；在被加工物的温度被设定为比第一温度高的第二温度的状态，在腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤。