公开(公告)号：CN119585851A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380053613.9

申请日：2023-07-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹田谅平 ,  高山航 ,  近江宗行 ,  八重樫圭太 ,  富永翔 ,  高良穰二

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种控制程序、信息处理程序、控制方法、信息处理方法、等离子体处理装置以及信息处理装置。一种控制程序，是通过向等离子体生成源供给源电力并向载置作为处理对象的基板的载置台供给偏置电力来进行等离子体处理的等离子体处理装置的控制程序，控制程序用于使计算机执行以下过程：观测源电力和偏置电力的峰间电压；以及调整作为用于控制观测到的峰间电压的变动幅度的调整用参数的、向等离子体生成源供给的源电力、向载置台供给的偏置电力、向配置于载置台的周围的外周构件施加的直流电压、以及连接在直流电压的供给源与外周构件之间的滤波器电路的阻抗。

公开(公告)号：CN119487613A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380049967.6

申请日：2023-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高良穰二 ,  吉田晃一 ,  赛松 ,  舟久保隆男 ,  纪野国祐太

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种能够期待估计半导体制造装置的动作状态等的信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。本实施方式所涉及的信息处理方法包括以下处理：在使设置有多个传感器的第一半导体制造装置运转了时，获取所述第一半导体制造装置的运转数据和所述传感器所输出的传感器数据；基于所获取到的所述运转数据和所述传感器数据，通过机器学习来生成根据所述运转数据的输入而输出所述传感器数据的学习模型；以及将所生成的所述学习模型配置于与所述第一半导体制造装置不同的第二半导体制造装置。