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公开(公告)号：CN115881505A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211193061.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，在等离子体处理前适当地对腔室的内部的构件的表面进行预涂布。等离子体处理方法包含以下工序：工序(a)，利用包含不含卤素的前体气体的第一处理气体对腔室的内部的构件的表面形成第一保护膜；以及工序(b)，在对所述构件的表面形成所述第一保护膜之后，利用第二处理气体的等离子体对被搬入到所述腔室的内部的处理对象体进行等离子体处理。
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