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公开(公告)号：CN118613901A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380019266.8
申请日：2023-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 一种处理衬底的方法包括对介电层上的掩模进行图案化以及在该介电层中蚀刻开口。该介电层布置在该衬底上。该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含H气体和卤化磷气体流动。该方法可以进一步包括通过用导电材料填充这些开口来形成触点。
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公开(公告)号：CN117637528A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311031681.3
申请日：2023-08-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，在基板形成具有高深宽比的凹部的蚀刻中提高蚀刻速率。公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内在基板支承部上载置基板的工序。蚀刻方法还包括通过在腔室内生成的等离子体对基板进行蚀刻以在该基板形成凹部的工序。在进行蚀刻的工序中，向基板支承部供给电偏压以从等离子体吸引离子到基板。在进行蚀刻的工序中，变更电偏压的波形周期的时长的倒数即偏压频率以及脉冲化后的电偏压的脉冲占空比中的至少一方，以维持相对于基板的离子的能量通量。
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公开(公告)号：CN113390856B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202110240073.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基于时序数据组，对制造工艺的处理空间的环境定量地进行评价的分析装置、分析方法和分析程序。分析装置包括：学习部，其使用伴随处理空间中的对对象物的处理而测量的时序数据组进行机器学习，计算表示各测量项目间的、对应的时间范围的时序数据的关联性的值；和评价部，其使用伴随处理空间的在已知环境下对对象物的处理而测量的时序数据组，基于通过由上述学习部进行机器学习而计算出的表示上述关联性的值，对处理空间的未知环境进行评价。
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公开(公告)号：CN116206968A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211511505.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明所公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内的表面上形成含有碳的保护膜的工序(a)。蚀刻方法还包括利用在腔室内从包含氟化氢气体及氢氟烃气体的蚀刻气体生成的等离子体对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序(b)。基板包括作为含硅膜的蚀刻膜及含有碳且设置于该蚀刻膜上的掩模。
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公开(公告)号：CN114235787A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111049709.7
申请日：2021-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供分析装置、分析方法、记录介质及等离子体处理控制系统，用于使用在进行等离子体处理的处理空间中测定的时间序列数据组来定量地评价处理空间的状态。分析装置具有：计算部，其将在进行等离子体处理的处理空间中测定的时间序列数据组中的、在作为比控制区间靠前的规定时间的判断区间中测定的时间序列数据组输入到时间序列分析模型中，来计算相对于所述处理空间的基准状态的偏离度；以及确定部，其基于进行所述计算得到的偏离度来确定特性值，该特性值用于决定所述控制区间中的对基板进行等离子体处理时的控制数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113390856A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110240073.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基于时序数据组，对制造工艺的处理空间的环境定量地进行评价的分析装置、分析方法和分析程序。分析装置包括：学习部，其使用伴随处理空间中的对对象物的处理而测量的时序数据组进行机器学习，计算表示各测量项目间的、对应的时间范围的时序数据的关联性的值；和评价部，其使用伴随处理空间的在已知环境下对对象物的处理而测量的时序数据组，基于通过由上述学习部进行机器学习而计算出的表示上述关联性的值，对处理空间的未知环境进行评价。
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公开(公告)号：CN119866540A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202380065158.4
申请日：2023-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 基片处理系统包括装载口、处理室、测量部和控制部。装载口构成为能够与用于收纳基片的收纳容器连接。处理室构成为能够对基片实施基片处理。测量部设置于在收纳容器与处理室之间输送基片的路径，构成为能够测量基片的面内的光谱分布。控制部构成为，能够基于由测量部测量出的基片的面内的光谱分布来生成离群值检测模型，使用所生成的离群值检测模型，根据测量出的基片的面内的光谱分布来计算基片的面内的评分，基于计算出的评分来检测基片的异常。
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公开(公告)号：CN116705601A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310137724.X
申请日：2023-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的方法，等离子体处理装置具有腔室、基板支承部以及等离子体生成部，等离子体处理方法包括：准备的工序，在基板支承部准备具有含硅膜和掩模膜的基板，掩模膜包含开口图案；以及蚀刻的工序，在腔室内生成等离子体，将掩模膜作为掩模来对含硅膜进行蚀刻，蚀刻的工序包括：向腔室内供给含有碳、氢及氟的包含1种以上的气体的处理气体；向等离子体生成部供给源RF信号，来从处理气体生成等离子体；以及向基板支承部供给偏压RF信号，在蚀刻的工序中，一边在掩模膜的表面的至少一部分形成含碳膜，一边至少通过从处理气体生成的氟化氢来蚀刻含硅膜。
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公开(公告)号：CN115910771A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211020441.9
申请日：2022-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田中康基
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明的课题在于对于形成于具有含有碳的膜的基板的蚀刻形状的底部有效率地供给蚀刻剂，提高蚀刻速率。提供一种蚀刻方法，其具有下述工序：(a)在基板支撑部上提供具有含有碳的膜的基板的工序，以及(b)通过由包含H和O的气体生成的等离子体将上述基板进行蚀刻，形成在上述含有碳的膜具有底部的蚀刻形状的工序，在上述(b)的工序中，将上述基板支撑部的温度调整为0℃以下。
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公开(公告)号：CN118263114A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410384340.2
申请日：2020-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在上述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻上述氧化硅膜的步骤；和使上述基片的表面温度上升，使通过上述蚀刻生成的副生成物挥发的步骤。本发明能够提高蚀刻速率。
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