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公开(公告)号：CN117637528A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311031681.3
申请日：2023-08-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，在基板形成具有高深宽比的凹部的蚀刻中提高蚀刻速率。公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内在基板支承部上载置基板的工序。蚀刻方法还包括通过在腔室内生成的等离子体对基板进行蚀刻以在该基板形成凹部的工序。在进行蚀刻的工序中，向基板支承部供给电偏压以从等离子体吸引离子到基板。在进行蚀刻的工序中，变更电偏压的波形周期的时长的倒数即偏压频率以及脉冲化后的电偏压的脉冲占空比中的至少一方，以维持相对于基板的离子的能量通量。
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公开(公告)号：CN119866540A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202380065158.4
申请日：2023-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 基片处理系统包括装载口、处理室、测量部和控制部。装载口构成为能够与用于收纳基片的收纳容器连接。处理室构成为能够对基片实施基片处理。测量部设置于在收纳容器与处理室之间输送基片的路径，构成为能够测量基片的面内的光谱分布。控制部构成为，能够基于由测量部测量出的基片的面内的光谱分布来生成离群值检测模型，使用所生成的离群值检测模型，根据测量出的基片的面内的光谱分布来计算基片的面内的评分，基于计算出的评分来检测基片的异常。
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公开(公告)号：CN115968092A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211213444.4
申请日：2022-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种对进行等离子体处理的处理空间内的状态进行量化的基片处理系统、信息处理装置、信息处理方法和程序。基片处理系统包括：获取部，其在每次对基片进行等离子体处理时，获取多种时序数据；学习部，其通过计算第一阶段中获取的多种时序数据中的每一种时序数据的数据密集度，来生成与时序数据的种类数相应的数量的学习后的离群值检测模型；和量化部，其通过将第二阶段中获取的多种时序数据分别输入到对应的学习后的离群值检测模型，计算与第一阶段中获取的多种时序数据的偏离度，来对第二阶段中的处理空间内的状态进行量化。
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公开(公告)号：CN115881505A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211193061.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，在等离子体处理前适当地对腔室的内部的构件的表面进行预涂布。等离子体处理方法包含以下工序：工序(a)，利用包含不含卤素的前体气体的第一处理气体对腔室的内部的构件的表面形成第一保护膜；以及工序(b)，在对所述构件的表面形成所述第一保护膜之后，利用第二处理气体的等离子体对被搬入到所述腔室的内部的处理对象体进行等离子体处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203507A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111046522.1
申请日：2021-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明所公开的蚀刻方法包括在腔室内的表面上形成保护膜的工序(a)。蚀刻方法进一步包括在腔室内使用氟化氢对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序(b)。基板包括蚀刻膜及设置于该蚀刻膜上的掩模。保护膜由与掩模的材料相同种类的材料形成。
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公开(公告)号：CN113390856B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202110240073.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基于时序数据组，对制造工艺的处理空间的环境定量地进行评价的分析装置、分析方法和分析程序。分析装置包括：学习部，其使用伴随处理空间中的对对象物的处理而测量的时序数据组进行机器学习，计算表示各测量项目间的、对应的时间范围的时序数据的关联性的值；和评价部，其使用伴随处理空间的在已知环境下对对象物的处理而测量的时序数据组，基于通过由上述学习部进行机器学习而计算出的表示上述关联性的值，对处理空间的未知环境进行评价。
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公开(公告)号：CN116206968A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211511505.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明所公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内的表面上形成含有碳的保护膜的工序(a)。蚀刻方法还包括利用在腔室内从包含氟化氢气体及氢氟烃气体的蚀刻气体生成的等离子体对基板的蚀刻膜进行蚀刻的工序(b)。基板包括作为含硅膜的蚀刻膜及含有碳且设置于该蚀刻膜上的掩模。
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公开(公告)号：CN114235787A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111049709.7
申请日：2021-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供分析装置、分析方法、记录介质及等离子体处理控制系统，用于使用在进行等离子体处理的处理空间中测定的时间序列数据组来定量地评价处理空间的状态。分析装置具有：计算部，其将在进行等离子体处理的处理空间中测定的时间序列数据组中的、在作为比控制区间靠前的规定时间的判断区间中测定的时间序列数据组输入到时间序列分析模型中，来计算相对于所述处理空间的基准状态的偏离度；以及确定部，其基于进行所述计算得到的偏离度来确定特性值，该特性值用于决定所述控制区间中的对基板进行等离子体处理时的控制数据。
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公开(公告)号：CN113390856A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110240073.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基于时序数据组，对制造工艺的处理空间的环境定量地进行评价的分析装置、分析方法和分析程序。分析装置包括：学习部，其使用伴随处理空间中的对对象物的处理而测量的时序数据组进行机器学习，计算表示各测量项目间的、对应的时间范围的时序数据的关联性的值；和评价部，其使用伴随处理空间的在已知环境下对对象物的处理而测量的时序数据组，基于通过由上述学习部进行机器学习而计算出的表示上述关联性的值，对处理空间的未知环境进行评价。
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