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公开(公告)号：CN113394070A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110244864.8
申请日：2021-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种温度控制方法和等离子体处理装置。温度控制方法包括切换工序、点火工序、计算工序、第一控制工序及第二控制工序。在切换工序中，将向载置台的内部的流路供给的热介质从在进行蚀刻处理的情况下由第一温度控制部供给的第一温度的热介质切换为在进行清洁处理的情况下由第二温度控制部供给的第二温度的热介质。在点火工序中，开始供给清洁气体，并将等离子体点火。在斜率计算工序中，基于流路的出口侧的热介质的温度来计算热介质的温度变化的斜率。在第一控制工序中，控制第二温度控制部，直至流路的出口侧的热介质的温度稳定为第三温度为止。在第二控制工序中，控制第二温度控制部，以使流路的出口侧的热介质的温度成为设定值。
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公开(公告)号：CN115881505A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211193061.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，在等离子体处理前适当地对腔室的内部的构件的表面进行预涂布。等离子体处理方法包含以下工序：工序(a)，利用包含不含卤素的前体气体的第一处理气体对腔室的内部的构件的表面形成第一保护膜；以及工序(b)，在对所述构件的表面形成所述第一保护膜之后，利用第二处理气体的等离子体对被搬入到所述腔室的内部的处理对象体进行等离子体处理。
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公开(公告)号：CN113964010A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110817823.3
申请日：2021-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 箕浦佑也
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，能够减少反应生成物向载置台的载置面的附着。等离子体处理方法包括以下工序：将基板搬入处理容器内并载置于处理容器内的载置台的载置面上；在处理容器内将第一气体等离子体化，由此对基板执行等离子体处理；在处理容器内将第二气体等离子体化，由此形成对在执行等离子体处理时附着于处理容器内的构件的表面的反应生成物的表面进行覆盖的膜；以及在处理容器内的构件的表面形成有膜的状态下，将载置台的载置面上的基板从处理容器内搬出。
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公开(公告)号：CN113745104A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110564628.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 箕浦佑也
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明的课题在于提供一种提高掩膜选择比，并且抑制形成于被蚀刻膜的各开口的形状产生差异的技术。作为解决本发明课题的手段为提供一种蚀刻方法，其特征在于，包括下述工序：工序(A)，准备基板，所述基板具有第1膜和第2膜交替地层叠的层叠膜以及上述层叠膜上的掩膜；以及工序(B)，通过包含含有碳和氟的气体的处理气体的等离子体，将上述层叠膜进行蚀刻，上述含有碳和氟的气体具有C的不饱和键和CF3基。
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公开(公告)号：CN116635981A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180085064.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种基板处理方法，所述基板处理方法包括以下工序：准备形成有层叠膜的基板，所述层叠膜至少具有蚀刻对象膜、配置于所述蚀刻对象膜的下层的基底层以及配置于所述蚀刻对象膜的上层的掩模；通过等离子体借助所述掩模来对所述蚀刻对象膜进行蚀刻；以及在进行蚀刻的所述工序后，以期望的温度对基板进行热处理，其中，所述掩模和所述基底层中的至少一方含有过渡金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110164764A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910116311.7
申请日：2019-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明的技术问题为抑制在由硅氧化物膜和硅氮化物膜交替地层叠而成的多层膜形成的孔或者槽的弯曲。解决方案为：等离子体蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，其利用等离子体来蚀刻由硅氧化物膜和硅氮化物膜交替地层叠而成的多层膜；和第二蚀刻工序，其在使蚀刻多层膜而形成的孔或者槽的内侧壁中与硅氮化物膜对应的部分相对于该孔或者该槽的深度方向的倾斜减少的处理条件下，利用等离子体来蚀刻多层膜。
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公开(公告)号：CN117321740B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280029704.4
申请日：2022-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/44
Abstract: 一种基板处理装置的维护方法，所述基板处理装置具备腔室以及向所述腔室的内部供给处理气体的气体供给部，所述维护方法包括以下工序：工序(a)，从所述气体供给部向所述腔室的内部供给第一处理气体，来在所述腔室的内部的构件的表面形成保护膜；以及工序(b)，在所述工序(a)之后，将所述腔室的内部开放为大气气氛来进行所述基板处理装置的维护。
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公开(公告)号：CN117321740A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280029704.4
申请日：2022-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种基板处理装置的维护方法，所述基板处理装置具备腔室以及向所述腔室的内部供给处理气体的气体供给部，所述维护方法包括以下工序：工序(a)，从所述气体供给部向所述腔室的内部供给第一处理气体，来在所述腔室的内部的构件的表面形成保护膜；以及工序(b)，在所述工序(a)之后，将所述腔室的内部开放为大气气氛来进行所述基板处理装置的维护。
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公开(公告)号：CN110164764B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201910116311.7
申请日：2019-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明的技术问题为抑制在由硅氧化物膜和硅氮化物膜交替地层叠而成的多层膜形成的孔或者槽的弯曲。解决方案为：等离子体蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，其利用等离子体来蚀刻由硅氧化物膜和硅氮化物膜交替地层叠而成的多层膜；和第二蚀刻工序，其在使蚀刻多层膜而形成的孔或者槽的内侧壁中与硅氮化物膜对应的部分相对于该孔或者该槽的深度方向的倾斜减少的处理条件下，利用等离子体来蚀刻多层膜。
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公开(公告)号：CN113380599A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110189883.5
申请日：2021-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法。[课题]抑制腔室内的部件的消耗、且实现工艺的稳定化。[解决方案]一种等离子体处理方法，其为对基板进行等离子体处理的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括如下工序：在腔室内将含有碳和氢的第1气体等离子体化，从而用具有导电性的膜涂覆腔室内的部件的表面的工序；向腔室内搬入基板的工序；和，在腔室内的部件的表面用具有导电性的膜涂覆了的状态下，在腔室内将第2气体等离子体化，从而对基板进行处理的工序。
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