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公开(公告)号：CN113643953A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110429611.8
申请日：2021-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理装置的控制方法，在等离子体处理装置中，能够相对于吸引用的高频电功率调整以高功率对等离子体供给等离子体产生用的高频电功率的时刻。基片处理装置包括：载置基片的基片载置台；第一高频电源，其对上述基片载置台供给第一频率的第一高频电功率；阻抗变换器，其将从上述第一高频电源观察到的负载侧的阻抗变换为所设定的设定阻抗；第二高频电源，其对上述基片载置台供给比上述第一频率低的第二频率的第二高频电功率；和控制部，其控制上述阻抗变换器的上述设定阻抗，上述控制部根据基片处理来设定上述设定阻抗。
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公开(公告)号：CN113451097A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110268824.7
申请日：2021-03-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及系统、基板处理装置及系统的控制方法。基板处理装置具备：基板载置台，其用于载置基板；第一高频电源，其将第一频率的第一高频电力输出至所述基板载置台；第二高频电源，其将比所述第一频率低的第二频率的第二高频电力输出至所述基板载置台；以及控制部，其控制所述第一高频电源，其中，所述第一高频电源具备反射波检测器，该反射波检测器检测从所述基板载置台输入的反射波，所述控制部根据处理内容来决定设定值，控制所述第一高频电源以使有效功率成为所述设定值，所述有效功率是从所述第一高频电源的输出功率减去所述反射波检测器检测到的所述反射波的功率所得到的差。
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公开(公告)号：CN118679555A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202380020497.0
申请日：2023-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 所公开的方法包括在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序(a)。等离子体处理装置包括设置于腔室内的基板支撑部。基板支撑部包括支撑基板的第1区域和支撑边缘环的第2区域。第1区域包括第1电极，第2区域包括第2电极，方法进一步包括工序(b)，所述工序(b)分别对第1电极及第2电极周期性地施加电压的脉冲，以便将离子从等离子体引入到基板支撑部。方法进一步包括工序(c)，所述工序(c)为根据电压的脉冲分别被施加到第1电极及第2电极时的第1电极的第1电压值及第2电极的第2电压值，求出边缘环的消耗量。
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公开(公告)号：CN118556279A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202380017569.6
申请日：2023-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田中一光
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 所公开的等离子体处理方法包括工序(a)，在设置于等离子体处理装置的腔室内的基板支撑部的基板支撑面上载置基板。等离子体处理方法进一步包括工序(b)，使用等离子体对基板的膜进行蚀刻。等离子体处理方法进一步包括工序(c)，使用等离子体进行腔室的清洁。在工序(b)及工序(c)中，将包含直流电压的脉冲且具有脉冲波形的偏置电压周期性地施加到基板支撑部的偏置电极。偏置电压具有作为脉冲波形的波形周期的时间长度的倒数的偏置频率。工序(c)中的偏置频率高于工序(b)中的偏置频率。
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公开(公告)号：CN117637528A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311031681.3
申请日：2023-08-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，在基板形成具有高深宽比的凹部的蚀刻中提高蚀刻速率。公开的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内在基板支承部上载置基板的工序。蚀刻方法还包括通过在腔室内生成的等离子体对基板进行蚀刻以在该基板形成凹部的工序。在进行蚀刻的工序中，向基板支承部供给电偏压以从等离子体吸引离子到基板。在进行蚀刻的工序中，变更电偏压的波形周期的时长的倒数即偏压频率以及脉冲化后的电偏压的脉冲占空比中的至少一方，以维持相对于基板的离子的能量通量。
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