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公开(公告)号：CN114914143A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210107398.3
申请日：2022-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明要解决的技术问题是提供一种能够对被从电源施加电压或电流的导电性部件的电位状态进行切换的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置包括：处理容器；配置在所述处理容器内的第一导电性部件；第二导电性部件，其具有与所述第一导电性部件的第一面相对的第二面；配置在所述第一导电性部件和所述第二导电性部件中的至少一者上的第三部件，该第三部件的形状能够随着温度变化而变化；和用于对所述第三部件施加所述温度变化的控制机构。
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公开(公告)号：CN113643953A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110429611.8
申请日：2021-04-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理装置的控制方法，在等离子体处理装置中，能够相对于吸引用的高频电功率调整以高功率对等离子体供给等离子体产生用的高频电功率的时刻。基片处理装置包括：载置基片的基片载置台；第一高频电源，其对上述基片载置台供给第一频率的第一高频电功率；阻抗变换器，其将从上述第一高频电源观察到的负载侧的阻抗变换为所设定的设定阻抗；第二高频电源，其对上述基片载置台供给比上述第一频率低的第二频率的第二高频电功率；和控制部，其控制上述阻抗变换器的上述设定阻抗，上述控制部根据基片处理来设定上述设定阻抗。
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公开(公告)号：CN113451096A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110264471.3
申请日：2021-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种边缘环、基片支承台、等离子体处理系统和边缘环的更换方法，其具有：载置基片的基片载置面；载置边缘环的环载置面，其中所述边缘环以包围被载置于所述基片载置面的基片的方式配置；和用于将所述边缘环通过静电力来吸附并保持于所述环载置面的电极，所述边缘环在与所述环载置面相对的面粘贴有传热片，且经由该传热片载置于所述环载置面，所述传热片在与所述环载置面相对的面形成有导电膜，所述边缘环通过借助由所述电极形成的静电力来吸附被粘贴于该边缘环的所述传热片的所述导电膜，而被保持于所述环载置面。根据本发明，能够维持隔着传热片的边缘环与基片支承台之间的热传导性的同时，提高传热片从基片支承台剥离的剥离性。
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公开(公告)号：CN119585855A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380055337.X
申请日：2023-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：等离子体处理腔室；基板支承部，配置在等离子体处理腔室内且包括下部电极；上部电极，配置于基板支承部的上方；RF电源，用于向上部电极或下部电极提供RF信号，RF信号在第1重复期间内的第1状态之间具有第1功率电平，在第1重复期间内的第2状态之间具有第1功率电平，在第1重复期间内的第3状态之间具有小于第1功率电平的第2功率电平，在第1重复期间内的第4状态之间具有小于第2功率电平的第3功率电平；和DC电源，构成为对下部电极施加DC信号，DC信号具有在第1重复期间内的第1状态之间具有第1电压电平、在第1重复期间内的第2状态之间具有第2电压电平的电压脉冲的序列，第2电压电平的绝对值大于第1电压电平的绝对值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119013770A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380031926.4
申请日：2023-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , B65G49/07 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统，其包括等离子体处理装置、与等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，等离子体处理装置包括：能够被减压的处理容器；设置在处理容器内的基片支承台，其包括基片载置面、能够以边缘环包围基片的方式载置边缘环的环载置面、和将边缘环静电吸附在环载置面上的静电卡盘，基片支承台与供给偏置用的脉冲状的直流电压的电源连接；使边缘环升降的升降机构；和在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部，减压输送装置具有输送边缘环的输送机器人，控制装置能够控制：利用升降机构，使由输送机器人输送到处理容器内并交接到升降机构的边缘环下降而将其载置在环载置面上的载置步骤；将已被载置的边缘环静电吸附在环载置面上的步骤；和在对产品基片进行等离子体处理之前，在处理容器内生成等离子体，使边缘环在静电卡盘上的静电吸附稳定化的稳定化步骤，稳定化步骤包括对基片支承台施加偏置用的脉冲状的直流电压的施加步骤，施加步骤包括：施加第一偏置电压的第一步骤；和在第一步骤后，施加比第一偏置电压高的第二偏置电压的第二步骤。
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公开(公告)号：CN116344309A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211594618.6
申请日：2022-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供控制等离子体处理的面内均匀性的等离子体处理装置和气体供给方法。本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理室，其具有构成为能够支承基片的基片支承部；具有多个气体导入部的喷淋头，其中，上述多个气体导入部构成为能够分别向上述等离子体处理室内的各区域导入气体；气体供给部，其构成为能够向多个上述气体导入部供给气体；等离子体生成部，其构成为能够生成上述气体的等离子体；和控制部，其构成为能够至少控制上述气体供给部，上述气体供给部包括：气体单元，其构成为能够向多个上述气体导入部供给共用气体；和注入单元，其构成为能够向多个上述气体导入部中的所选择的上述气体导入部供给注入气体，上述控制部控制上述注入单元，以使得将2种以上的上述注入气体供给到2个不同的上述气体导入部。
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公开(公告)号：CN119325646A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380044131.7
申请日：2023-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/677
Abstract: 本发明的基片处理系统包括等离子体处理装置、与上述等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，上述等离子体处理装置包括：构成为能够减压的处理容器；和基片支承台，其设置在上述处理容器内，包括基片载置面、以包围上述基片载置面的方式载置边缘环的环载置面、和在上述环载置面静电吸附上述边缘环的静电吸盘；使上述边缘环相对于上述环载置面升降的升降机构；对上述边缘环的背面与上述环载置面之间供给气体的供给路径；和与上述供给路径连接的压力传感器，上述减压输送装置具有输送上述边缘环的输送机器人，上述控制装置控制：利用上述升降机构使由上述输送机器人输送到上述处理容器内并被交接到上述升降机构的上述边缘环下降而载置到上述环载置面的步骤；将所载置的上述边缘环静电吸附于上述环载置面的步骤；在上述静电吸附的步骤后，向上述供给路径供给上述气体以使得将上述供给路径的压力被保持得比上述处理容器内的压力高的步骤；测量上述供给路径的压力的步骤；和基于测量出的压力，来判断上述边缘环在上述环载置面的载置状态的步骤。
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公开(公告)号：CN115116815A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210223405.6
申请日：2022-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够降低因基片周围的部件的随时间变化而导致的对处理的影响。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；构成为能够在上述等离子体处理腔室内生成等离子体的等离子体生成部；配置在上述等离子体处理腔室内的基片支承部；以包围上述基片支承部上的基片的方式配置的第一导电性环；以包围上述第一导电性环的方式配置的绝缘环；和以包围上述绝缘环的方式配置并与接地电位连接的第二导电性环。
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公开(公告)号：CN114496705A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111299671.9
申请日：2021-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够提高基板处理的控制性的基板处理装置以及基板处理方法。该基板处理装置包括:处理容器,其具有用于支承基板的基板支承台；气体供给部,其用于向上述处理容器供给多种处理气体；等离子体生成部,其用于生成上述处理气体的等离子体；以及控制部,上述气体供给部具有:第一气体供给部,其用于将第一处理气体供给至上述处理容器；以及第二气体供给部,其用于将第二处理气体注入向上述处理容器供给的上述第一处理气体。
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