公开(公告)号：CN119585855A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380055337.X

申请日：2023-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 四本松康太 ,  李黎夫 ,  辻本宏 ,  水上大地 ,  阿部淳 ,  加藤秀生

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：等离子体处理腔室；基板支承部，配置在等离子体处理腔室内且包括下部电极；上部电极，配置于基板支承部的上方；RF电源，用于向上部电极或下部电极提供RF信号，RF信号在第1重复期间内的第1状态之间具有第1功率电平，在第1重复期间内的第2状态之间具有第1功率电平，在第1重复期间内的第3状态之间具有小于第1功率电平的第2功率电平，在第1重复期间内的第4状态之间具有小于第2功率电平的第3功率电平；和DC电源，构成为对下部电极施加DC信号，DC信号具有在第1重复期间内的第1状态之间具有第1电压电平、在第1重复期间内的第2状态之间具有第2电压电平的电压脉冲的序列，第2电压电平的绝对值大于第1电压电平的绝对值。