公开(公告)号：CN116364516A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211639069.X

申请日：2022-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤秀征

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够进行环组件相对于基板支承部的适当的定位的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室；具有基板支承面和环支承面的基板支承部；具有至少3个贯通孔的绝缘性环，贯通孔分别具有上侧孔部分和下侧孔部分，所述上侧孔部分具有绝缘性环的径向上的第1宽度和在绝缘性环的周向上比第1宽度小的第2宽度，所述下侧孔部分具有从横向观察时向下方扩展的喇叭形状；在下表面具有与各个贯通孔对应的至少3个槽的导电性环，各个槽具有导电性环的径向上的第3宽度和导电性环的周向上的第4宽度，第4宽度比第3宽度小；与各个槽对应的至少3个升降销；和至少1个致动器。

公开(公告)号：CN119013770A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380031926.4

申请日：2023-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荒卷昂 ,  李黎夫 ,  佐佐木信峰 ,  赤间俊纪 ,  加藤秀征 ,  朴景民 ,  清水涉 ,  小板桥岭太

IPC: H01L21/3065 ,  B65G49/07 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种基片处理系统，其包括等离子体处理装置、与等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，等离子体处理装置包括：能够被减压的处理容器；设置在处理容器内的基片支承台，其包括基片载置面、能够以边缘环包围基片的方式载置边缘环的环载置面、和将边缘环静电吸附在环载置面上的静电卡盘，基片支承台与供给偏置用的脉冲状的直流电压的电源连接；使边缘环升降的升降机构；和在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部，减压输送装置具有输送边缘环的输送机器人，控制装置能够控制：利用升降机构，使由输送机器人输送到处理容器内并交接到升降机构的边缘环下降而将其载置在环载置面上的载置步骤；将已被载置的边缘环静电吸附在环载置面上的步骤；和在对产品基片进行等离子体处理之前，在处理容器内生成等离子体，使边缘环在静电卡盘上的静电吸附稳定化的稳定化步骤，稳定化步骤包括对基片支承台施加偏置用的脉冲状的直流电压的施加步骤，施加步骤包括：施加第一偏置电压的第一步骤；和在第一步骤后，施加比第一偏置电压高的第二偏置电压的第二步骤。

公开(公告)号：CN119325646A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202380044131.7

申请日：2023-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 赤间俊纪 ,  加藤秀征 ,  朴景民 ,  佐佐木信峰 ,  荒卷昂 ,  李黎夫

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明的基片处理系统包括等离子体处理装置、与上述等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，上述等离子体处理装置包括：构成为能够减压的处理容器；和基片支承台，其设置在上述处理容器内，包括基片载置面、以包围上述基片载置面的方式载置边缘环的环载置面、和在上述环载置面静电吸附上述边缘环的静电吸盘；使上述边缘环相对于上述环载置面升降的升降机构；对上述边缘环的背面与上述环载置面之间供给气体的供给路径；和与上述供给路径连接的压力传感器，上述减压输送装置具有输送上述边缘环的输送机器人，上述控制装置控制：利用上述升降机构使由上述输送机器人输送到上述处理容器内并被交接到上述升降机构的上述边缘环下降而载置到上述环载置面的步骤；将所载置的上述边缘环静电吸附于上述环载置面的步骤；在上述静电吸附的步骤后，向上述供给路径供给上述气体以使得将上述供给路径的压力被保持得比上述处理容器内的压力高的步骤；测量上述供给路径的压力的步骤；和基于测量出的压力，来判断上述边缘环在上述环载置面的载置状态的步骤。