公开(公告)号：CN117790275A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311179269.6

申请日：2023-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 砂金优 ,  阿部凉也

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/16

Abstract: 本发明提供能够在处理装置中提供对于腔室的适当的衬里构造的等离子体处理装置和基片处理装置。等离子体处理装置包括：由第一导电性材料形成的、与接地电位连接的导电性腔室；能够在导电性腔室内生成等离子体的等离子体生成部；由与第一导电性材料不同的第二导电性材料形成的、在导电性腔室内沿着周向排列配置的多个导电性衬里，各导电性衬里具有第一面和与第一面相反的一侧的第二面，第一面与导电性腔室的侧壁接触，第二面暴露于等离子体，在多个导电性衬里中的两个相邻的导电性衬里之间形成有间隙；和分别与多个导电性衬里对应的多个固定器具，各固定器具能够将对应的导电性衬里固定在导电性腔室的侧壁上。

公开(公告)号：CN115116815A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210223405.6

申请日：2022-03-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荒卷昂 ,  辻本宏 ,  李黎夫 ,  桑原有生 ,  阿部凉也

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够降低因基片周围的部件的随时间变化而导致的对处理的影响。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；构成为能够在上述等离子体处理腔室内生成等离子体的等离子体生成部；配置在上述等离子体处理腔室内的基片支承部；以包围上述基片支承部上的基片的方式配置的第一导电性环；以包围上述第一导电性环的方式配置的绝缘环；和以包围上述绝缘环的方式配置并与接地电位连接的第二导电性环。

公开(公告)号：CN116895512A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310351671.1

申请日：2023-04-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 阿部凉也 ,  佐藤彻治 ,  松浦伸

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部；挡板结构体，其包括上侧挡板和下侧挡板，上侧挡板具有多个第一开口，多个第一开口各自具有第一宽度，下侧挡板具有多个第二开口，多个第二开口各自具有上侧开口部分和下侧开口部分，上侧开口部分具有比第一宽度大的第二宽度，下侧开口部分具有比第一宽度小的第三宽度；和衬套结构体，其包括内侧圆筒状衬套和外侧圆筒状衬套，内侧圆筒状衬套具有多个第三开口，多个第三开口各自具有第四宽度，外侧圆筒状衬套具有多个第四开口，多个第四开口各自具有内侧开口部分和外侧开口部分，内侧开口部分具有比第四宽度大的第五宽度，外侧开口部分具有比第四宽度小的第六宽度。