公开(公告)号：CN115943481A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180052467.9

申请日：2021-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷圭惠 ,  高桥基 ,  须田隆太郎 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  大类贵俊

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内的基板支撑器上准备具有电介质膜的基板的工序；和由包含HF气体和选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体以及C3H2F6气体中的至少1种CxHyFz气体的反应气体生成等离子体，对电介质膜进行蚀刻的工序，在进行蚀刻的工序中，将基板支撑器的温度设定为0℃以下，HF气体的流量比所述CxHyFz气体的流量多。

公开(公告)号：CN115917711A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180052466.4

申请日：2021-05-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥基 ,  须田隆太郎 ,  户村幕树 ,  大类贵俊 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体及C3H2F6气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至腔室内生成等离子体，对基板的含硅膜进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN118613901A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380019266.8

申请日：2023-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 蔡宇浩 ,  张度 ,  王明美 ,  大类贵俊 ,  高桥基 ,  横井雅彦 ,  田中康基 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/311

Abstract: 一种处理衬底的方法包括对介电层上的掩模进行图案化以及在该介电层中蚀刻开口。该介电层布置在该衬底上。该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含H气体和卤化磷气体流动。该方法可以进一步包括通过用导电材料填充这些开口来形成触点。