公开(公告)号：CN116918043A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280018118.X

申请日：2022-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤堂飒哉

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本公开提供面内均匀性良好的基板处理技术。本公开涉及的等离子体处理方法包含：在基板支持部上配置基板的工序；向腔室内供给用于处理基板的处理气体的工序；向上部电极或者下部电极供给具有第一频率的第一高频，在上部电极与下部电极之间生成处理气体的等离子体的工序；以及向上部电极或者下部电极供给具有比第一频率低的第二频率的第二高频，控制在上部电极或者下部电极与等离子体之间形成的电场的工序，生成等离子体的工序包含基于第二高频的相位控制第一高频的供给的工序。

公开(公告)号：CN116782480A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310220734.X

申请日：2023-03-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八重樫圭太 ,  高良穣二 ,  铃木贵幸 ,  竹田谅平 ,  藤堂飒哉 ,  斋藤祐介 ,  斋野高遥

IPC: H05H1/46 ,  G01R33/02

Abstract: 本发明提供一种预测方法和信息处理装置，预测等离子体蚀刻处理的处理结果。预测方法包括计算工序和预测工序。在计算工序中，计算对配置于腔室内的基板实施了等离子体蚀刻处理时的腔室内的磁场的空间分布值与针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果之间的相关关系。在预测工序中，基于计算出的相关关系，根据腔室内的磁场的空间分布值来预测针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。

公开(公告)号：CN115954254A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211221706.1

申请日：2022-10-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤堂飒哉 ,  竹田谅平 ,  近江宗行 ,  冈本晋 ,  高良穣二

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供一种控制程序、控制方法以及等离子体处理装置。通过向等离子体生成源供给电源功率并向载置作为处理对象的基板的载置台供给偏压功率来进行等离子体处理的等离子体处理装置的控制程序，所述控制程序用于使计算机执行以下处理：观测所述电源功率或所述偏压功率的峰间电压值，与所述峰间电压值的变动相应地，固定所述电源功率与所述偏压功率的比率，并校正向所述等离子体生成源供给的电源功率和向所述载置台供给的偏压功率，以使得被观测的峰间电压值接近初始设定值。