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公开(公告)号：CN100505177C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480014635.1
申请日：2004-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN102299068A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110176702.1
申请日：2011-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/6719 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够不会使用正离子进行的蚀刻效率下降地，有效利用负离子且提高整体蚀刻效率的基板处理方法。该基板处理方法的特征在于：分别作为脉冲波施加等离子体RF和偏置RF，并依次反复进行以下步骤：一并施加等离子体RF和偏置RF，用等离子体中的正离子对基板实施蚀刻处理的正离子蚀刻步骤(3b)；一并停止等离子体RF和偏置RF的施加，在处理室内产生负离子的负离子生成步骤(3c)；和停止等离子体RF的施加，施加偏置RF将负离子引入到基板的负离子引入步骤(3a)，其中，使偏置RF的占空比大于等离子体RF的占空比。
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公开(公告)号：CN101431009B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810175598.2
申请日：2008-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种喷淋板和基板处理装置，即使经过使用时间，也能够为了延长喷淋板的寿命，而防止异常放电的发生。基板处理装置(10)具有对腔室(11)内的处理空间(S)供给处理气体的喷淋头(30)，该喷淋头(30)具有圆板状的喷淋板(31)，该喷淋板(31)介于形成在喷淋头(30)内且用于导入处理气体的空间(34)和处理空间(S)之间，并且具有连通空间(34)和处理空间(S)的处理气体供给路径(36)，该处理气体供给路径(36)具有形成在空间(34)侧的多个气孔(40)和形成在处理空间(S)侧的多个气槽(41)，多个气孔(40)和多个气槽(41)相互连通，全部气槽(41)的流路截面积的总和比全部气孔(40)的流路截面积的总和大。
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公开(公告)号：CN101800161A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010103969.3
申请日：2010-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32697
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。该等离子体蚀刻方法，能够以形状性能良好且高蚀刻率对被蚀刻膜进行蚀刻从而形成高深宽比的孔。当通过等离子体蚀刻在蚀刻对象膜形成孔时，接通等离子体生成用高频电力施加单元，在处理容器内生成等离子体，并且交替反复以下第一条件和第二条件：第一条件，从直流电源对上部电极施加负的直流电压，第二条件，关断等离子体生成用高频电力施加单元使处理容器内的等离子体猝灭，并且从直流电源对上部电极施加负的直流电压，利用第一条件由等离子体中的正离子使蚀刻进行，利用第二条件生成负离子，由所述直流电压将负离子供向上述孔内，由此中和孔内的正电荷。
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公开(公告)号：CN101431009A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810175598.2
申请日：2008-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种喷淋板和基板处理装置，即使经过使用时间，也能够为了延长喷淋板的寿命，而防止异常放电的发生。基板处理装置(10)具有对腔室(11)内的处理空间(S)供给处理气体的喷淋头(30)，该喷淋头(30)具有圆板状的喷淋板(31)，该喷淋板(31)介于形成在喷淋头(30)内且用于导入处理气体的空间(34)和处理空间(S)之间，并且具有连通空间(34)和处理空间(S)的处理气体供给路径(36)，该处理气体供给路径(36)具有形成在空间(34)侧的多个气孔(40)和形成在处理空间(S)侧的多个气槽(41)，多个气孔(40)和多个气槽(41)相互连通，全部气槽(41)的流路截面积的总和比全部气孔(40)的流路截面积的总和大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101800161B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010103969.3
申请日：2010-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32697
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。该等离子体蚀刻方法，能够以形状性能良好且高蚀刻率对被蚀刻膜进行蚀刻从而形成高深宽比的孔。当通过等离子体蚀刻在蚀刻对象膜形成孔时，接通等离子体生成用高频电力施加单元，在处理容器内生成等离子体，并且交替反复以下第一条件和第二条件：第一条件，从直流电源对上部电极施加负的直流电压，第二条件，关断等离子体生成用高频电力施加单元使处理容器内的等离子体猝灭，并且从直流电源对上部电极施加负的直流电压，利用第一条件由等离子体中的正离子使蚀刻进行，利用第二条件生成负离子，由所述直流电压将负离子供向上述孔内，由此中和孔内的正电荷。
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公开(公告)号：CN1802732A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480014635.1
申请日：2004-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN102299068B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110176702.1
申请日：2011-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/6719 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够不会使用正离子进行的蚀刻效率下降地，有效利用负离子且提高整体蚀刻效率的基板处理方法。该基板处理方法的特征在于：分别作为脉冲波施加等离子体RF和偏置RF，并依次反复进行以下步骤：一并施加等离子体RF和偏置RF，用等离子体中的正离子对基板实施蚀刻处理的正离子蚀刻步骤(3b)；一并停止等离子体RF和偏置RF的施加，在处理室内产生负离子的负离子生成步骤(3c)；和停止等离子体RF的施加，施加偏置RF将负离子引入到基板的负离子引入步骤(3a)，其中，使偏置RF的占空比大于等离子体RF的占空比。
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公开(公告)号：CN102194689B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110047371.1
申请日：2011-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/0273 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137
Abstract: 本发明提供即使形成的图案的深宽比也能够防止图案变形的蚀刻处理方法。在对处理室15内部施加等离子体生成用的高频电力55、对基座12施加离子引入用的高频电力56、对上部电极板27施加负电位的直流电力的基板处理装置10中，改良在晶片W上的光致抗蚀膜45形成的图案44的形状时，用等离子体对光致抗蚀膜45进行蚀刻，使用该光致抗蚀膜45对SiO2膜40通过等离子体蚀刻时，对上部电极板27施加负电位的直流电力，同时以脉冲波状施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56，造成未施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56的状态。
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公开(公告)号：CN102194689A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110047371.1
申请日：2011-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01L21/0273 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137
Abstract: 本发明提供即使形成的图案的深宽比也能够防止图案变形的蚀刻处理方法。在对处理室15内部施加等离子体生成用的高频电力55、对基座12施加离子引入用的高频电力56、对上部电极板27施加负电位的直流电力的基板处理装置10中，改良在晶片W上的光致抗蚀膜45形成的图案44的形状时，用等离子体对光致抗蚀膜45进行蚀刻，使用该光致抗蚀膜45对SiO2膜40通过等离子体蚀刻时，对上部电极板27施加负电位的直流电力，同时以脉冲波状施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56，造成未施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56的状态。
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