公开(公告)号：CN105719930B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201510958555.1

申请日：2015-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山﨑文生

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明提供能够抑制因蚀刻而形成的孔或者槽扭曲的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括：第一步骤，对下部电极施加第一高频电力，并且以周期性切换第二高频电力的接通和断开的方式对下部电极施加第二高频电力；和第二步骤，对下部电极施加第一高频电力，并且以使第二高频电力连续接通的方式对下部电极施加第二高频电力，交替实施第一步骤和第二步骤。当附着物覆盖因蚀刻而形成的孔的内表面至深部时，由附着物保护内表面不受进入孔内的离子影响，能够抑制内表面的蚀刻，并且能够抑制孔或者槽扭曲。

公开(公告)号：CN105719930A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510958555.1

申请日：2015-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山﨑文生

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供能够抑制因蚀刻而形成的孔或者槽扭曲的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括：第一步骤，对下部电极施加第一高频电力，并且以周期性切换第二高频电力的接通和断开的方式对下部电极施加第二高频电力；和第二步骤，对下部电极施加第一高频电力，并且以使第二高频电力连续接通的方式对下部电极施加第二高频电力，交替实施第一步骤和第二步骤。当附着物覆盖因蚀刻而形成的孔的内表面至深部时，由附着物保护内表面不受进入孔内的离子影响，能够抑制内表面的蚀刻，并且能够抑制孔或者槽扭曲。

公开(公告)号：CN102194689B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201110047371.1

申请日：2011-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 持木宏政 ,  冈本晋 ,  西岛贵史 ,  山﨑文生

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明提供即使形成的图案的深宽比也能够防止图案变形的蚀刻处理方法。在对处理室15内部施加等离子体生成用的高频电力55、对基座12施加离子引入用的高频电力56、对上部电极板27施加负电位的直流电力的基板处理装置10中，改良在晶片W上的光致抗蚀膜45形成的图案44的形状时，用等离子体对光致抗蚀膜45进行蚀刻，使用该光致抗蚀膜45对SiO2膜40通过等离子体蚀刻时，对上部电极板27施加负电位的直流电力，同时以脉冲波状施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56，造成未施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56的状态。

公开(公告)号：CN102194689A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110047371.1

申请日：2011-02-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 持木宏政 ,  冈本晋 ,  西岛贵史 ,  山﨑文生

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明提供即使形成的图案的深宽比也能够防止图案变形的蚀刻处理方法。在对处理室15内部施加等离子体生成用的高频电力55、对基座12施加离子引入用的高频电力56、对上部电极板27施加负电位的直流电力的基板处理装置10中，改良在晶片W上的光致抗蚀膜45形成的图案44的形状时，用等离子体对光致抗蚀膜45进行蚀刻，使用该光致抗蚀膜45对SiO2膜40通过等离子体蚀刻时，对上部电极板27施加负电位的直流电力，同时以脉冲波状施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56，造成未施加等离子体生成用的高频电力55和离子引入用的高频电力56的状态。