公开(公告)号：CN100449723C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200580002253.1

申请日：2005-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樋口文彦 ,  高桥宏幸 ,  高明辉 ,  岳红宇 ,  山下朝夫 ,  神原弘光

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/31116 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了一种修整衬底上的构造的方法和系统。在对衬底进行化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将衬底暴露于诸如HF/NH3的气态化学品。还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流速，以在修整构件期间影响目标修整量。

公开(公告)号：CN100505177C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200480014635.1

申请日：2004-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈立 ,  神原弘光 ,  岩间信浩 ,  梅克廓 ,  持木宏政 ,  萩原正明

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。

公开(公告)号：CN101032002A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580032890.3

申请日：2005-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈立 ,  神原弘光 ,  田才忠 ,  西塚哲也 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: 一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室，第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体，第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体，第二气体具有处理化学剂以处理衬底。衬底夹持器耦合到处理室的第二室部分，并且被配置为支撑紧邻处理空间的衬底，等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置为在等离子体空间中形成等离子体。栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体空间和处理空间之间的等离子体扩散以基于处理气体形成处理化学剂。

公开(公告)号：CN1802732A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480014635.1

申请日：2004-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈立 ,  神原弘光 ,  岩间信浩 ,  梅克廓 ,  持木宏政 ,  萩原正明

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。

公开(公告)号：CN100541729C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200580032890.3

申请日：2005-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈立 ,  神原弘光 ,  田才忠 ,  西塚哲也 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: 一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室，第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体，第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体，第二气体具有处理化学剂以处理衬底。衬底夹持器耦合到处理室的第二室部分，并且被配置为支撑紧邻处理空间的衬底，等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置为在等离子体空间中形成等离子体。栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体空间和处理空间之间的等离子体扩散以基于处理气体形成处理化学剂。

公开(公告)号：CN1910743A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200580002253.1

申请日：2005-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樋口文彦 ,  高桥宏幸 ,  高明辉 ,  岳红宇 ,  山下朝夫 ,  神原弘光

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/31116 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了一种修整衬底上的构造的方法和系统。在对衬底进行化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将衬底暴露于诸如HF/NH3的气态化学品。还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流速，以在修整构件期间影响目标修整量。