公开(公告)号：CN100505177C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200480014635.1

申请日：2004-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈立 ,  神原弘光 ,  岩间信浩 ,  梅克廓 ,  持木宏政 ,  萩原正明

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。

公开(公告)号：CN1802732A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480014635.1

申请日：2004-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈立 ,  神原弘光 ,  岩间信浩 ,  梅克廓 ,  持木宏政 ,  萩原正明

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。