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公开(公告)号：CN111095499B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980004518.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，所述部件的形成方法包括一边供给第1陶瓷的原料和与该第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一边对所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN112992725A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011388754.0
申请日：2020-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置用的部件和基片处理系统。该基片处理装置用的部件在上述部件的表面和/或内部具有已加工的标记，上述标记构成为能够根据通过加工而形成于上述部件的槽和/或两种以上的颜色来读取二维码信息。根据本发明能够提高基片处理装置用的部件的管理。
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公开(公告)号：CN101231943B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810005545.6
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：可以设置成有真空气氛的处理容器；与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向而环状地配置的第一上部电极；在所述第一上部电极的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置的第二上部电极；向所述处理容器内提供处理气体的处理气体供给部；输出第一高频的第一高频电源；把来自所述第一高频电源的所述第一高频以第一功率值提供给所述第一上部电极的第一供电部；把来自所述第一高频电源的所述第一高频，从所述第一供电部分出，以比所述第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极的第二供电部，所述第一上部电极具有与所述第二上部电极的下面相比还向下方突出的突出部分。
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公开(公告)号：CN100380605C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200380104293.8
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明的等离子体处理装置包括可以设置成有真空气氛的处理容器(10)。第一上部电极(36)被配置成与配置在处理容器(10)内的被处理基板(W)相面对并成环状。在第一上部电极(36)的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置第二上部电极(38)。第一供电部(50)把来自第一高频电源(52)的第一高频以第一功率值提供给第一上部电极(36)。从第一供电部(50)分出的第二供电部(76)把来自第一高频电源的所述第一高频，以比第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极(38)。
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公开(公告)号：CN118969705A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411021692.8
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32 , C04B37/02
Abstract: 本发明提供一种部件的形成方法和等离子体处理装置，所述部件的形成方法包括一边供给第1陶瓷的原料和与该第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一边对所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN113838737A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110684809.0
申请日：2021-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种高频供电部件,其降低高频的传输路径中的热负载。该高频供电部件用于供给高频电力,其具有:内部导体,其形成中空；以及外部导体,其以包围上述内部导体的方式配置,在上述内部导体和上述外部导体的至少一者的壁面的内部设有制冷剂流路。
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公开(公告)号：CN111383898A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911325098.7
申请日：2019-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，涉及能够控制离子的撞击能量的技术，其包括：处理容器；在所述处理容器内载置被处理体的电极；对所述处理容器内供给等离子体的等离子体生成源；对所述电极供给所希望的波形的偏置功率的偏置电源；暴露于所述处理容器内的等离子体的零件；对所述零件供给所希望的波形的电压的电源；具有包含第1控制顺序的程序的存储介质，该第1控制顺序使所述电压周期性地反复具有第1电压值的第1状态和具有比所述第1电压值高的第2电压值的第2状态，在所述电极的电位的各周期内的部分期间施加所述第1电压值，以所述第1状态与所述第2状态连续的方式施加所述第2电压值；和能够执行所述存储介质的程序的控制部。
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公开(公告)号：CN111092009A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201910992484.5
申请日：2019-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。本发明能够提高热响应性。
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公开(公告)号：CN1717790A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104294.2
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理方法，向配置有被处理基板(W)的等离子体生成空间(10)内供给规定的处理气体、使所述处理气体等离子体化。而且，由等离子体对基板(W)实施规定的等离子体处理。这里，由与基板(W)相对向的对向部(34)，对基板(W)分别独立地控制等离子体的密度空间分布与等离子体中的自由基的密度空间分布，在基板(W)的整个被处理面上得到规定的处理状态。
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