公开(公告)号：CN113808989A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110630640.0

申请日：2021-06-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石井贵之 ,  永关一也 ,  斋藤道茂

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明的课题在于提供一种导热良好，线膨胀系数低，并且分量轻的载置台。作为解决本发明课题的方法为提供一种载置台，其具有：由密度为5.0g/cm3以下的材料形成的第1构件；与上述第1构件接合，由线膨胀系数为5.0×10‑6/K以下，并且导热率为100W/mK以上的材料形成的第2构件；以及在上述第1构件和上述第2构件的至少任一者的内部形成的温度调节介质的流路。

公开(公告)号：CN112670153A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011071885.6

申请日：2020-10-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石井贵之 ,  永关一也 ,  斋藤道茂 ,  金子彰太

IPC: H01J37/32 ,  B22F3/105 ,  B22F3/24 ,  B22F1/00 ,  C25D11/04 ,  B33Y10/00 ,  B33Y40/20 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00

Abstract: 本发明提供部件、部件的制造方法和基片处理装置，能够提高覆盖含硅的铝材的氧化膜的均匀性。所提供的部件是用于基片处理装置的部件，上述部件由含硅的铝形成，硅粒径为1μm以下。

公开(公告)号：CN114107962A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110949168.7

申请日：2021-08-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石井贵之 ,  永关一也 ,  斋藤道茂

IPC: C23C18/14 ,  C23C18/12

Abstract: 本发明提供成膜装置和具有含硅膜的部件的制造方法。抑制氧化地进行成膜。排气部将腔室内减压到预定的真空度。保持部配置于腔室内，保持成膜对象构件。供给部向成膜对象构件的表面供给含有硅的成膜材料。热源能够在预定的真空度中进行加热，将供给来的成膜材料熔融。

公开(公告)号：CN119585853A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054430.9

申请日：2023-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石井贵之 ,  斋藤道茂 ,  永关一也 ,  千叶晶彦 ,  青柳健大 ,  王昊

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

Abstract: 一种高纯度硅的层叠造型方法，其包括：使真空处理容器的内部成为高真空状态的工序；对配置在所述真空处理容器的内部的基板进行加热的工序；使硅粉末堆积在所述基板上的硅粉末堆积工序；使造型用能量射线在所述基板上扫描而形成熔化硅层的熔化硅层形成工序；和使所述熔化硅层冷却而形成凝固硅层的凝固硅层形成工序，反复执行包括使所述硅粉末堆积的工序、所述熔化硅层形成工序和所述凝固硅层形成工序的循环。