公开(公告)号：CN118692906A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410318582.1

申请日：2024-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 畑崎芳成

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 蚀刻方法包括：(a)提供基板的工序，基板具有第1区域和第2区域，所述第1区域具有开口，所述第2区域位于第1区域的下方，第2区域包括与开口连通的凹部，从与基板的主面垂直的方向观察，第2区域包括位于开口内的肩部，肩部包括凹部的侧壁的上端，第2区域包含硅，并且包含与第1区域中所包含的材料不同的材料；(b)通过由包含含有碳及氧的气体的第1处理气体生成的第1等离子体在肩部上形成沉积物的工序；及(c)通过由与第1处理气体不同的第2处理气体生成的第2等离子体对凹部的底部进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN109219867B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201780034555.X

申请日：2017-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 畑崎芳成 ,  石田和香子 ,  谷口谦介

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域(R2)，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1)，其中，被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的掩模(MK)，该蚀刻方法包括：生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第1步骤；和利用沉积物中所含的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2步骤，在第2步骤中脉冲波状地施加有助于等离子体的形成的高频电功率，反复执行第1步骤和第2步骤。

公开(公告)号：CN111326395B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN201911265106.3

申请日：2019-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  谷口谦介 ,  畑崎芳成

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括：第1步骤，其在形成于基片上的有疏密的图案上形成第1膜；和对第1膜进行溅射或蚀刻的第2步骤。本发明能够实现形成于基片上的图案的精密的尺寸控制。

公开(公告)号：CN111326395A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911265106.3

申请日：2019-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  谷口谦介 ,  畑崎芳成

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括：第1步骤，其在形成于基片上的有疏密的图案上形成第1膜；和对第1膜进行溅射或蚀刻的第2步骤。本发明能够实现形成于基片上的图案的精密的尺寸控制。

公开(公告)号：CN109219867A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201780034555.X

申请日：2017-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 畑崎芳成 ,  石田和香子 ,  谷口谦介

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域(R2)，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1)，其中，被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的掩模(MK)，该蚀刻方法包括：生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第1步骤；和利用沉积物中所含的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2步骤，在第2步骤中脉冲波状地施加有助于等离子体的形成的高频电功率，反复执行第1步骤和第2步骤。