Patent search ap:("东京毅力科创株式会社" OR "日本瑞翁株式会社") AND inv:"平井希" Page 1

1.

发明公开
半导体装置的制造方法、制造装置、控制程序和计算机存储介质无效

公开(公告)号：CN1956155A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610137154.0

申请日：2006-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社

Inventor： 北村彰规 , 本田昌伸 , 平井希 , 中村昌洋 , 杉本达也

IPC: H01L21/311 , G05B19/02

Abstract: 以光致抗蚀剂膜作为掩模，在光致抗蚀剂膜上，有选择地等离子体蚀刻SiO2膜，形成通孔。在等离子体蚀刻中，使用包含用CxFyO(x为4或5，y为整数，y/x为1～1.5)表示的含有不饱和氧的碳氟化合物气体的蚀刻气体。作为含有不饱和氧的碳氟化合物气体，使用例如C4F4O气体和C4F6O气体。

Patent Agency Ranking