公开(公告)号：CN101622699B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200880006449.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  安田圣治 ,  井口敦智 ,  松冈孝明 ,  川村刚平 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。

公开(公告)号：CN101777492A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910222707.6

申请日：2005-11-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明公开一种等离子体加工方法，其通过使用含碳氟化合物的加工气体的等离子体加工目标对象。使用的碳氟化合物在分子内具有至少一个三键和至少一个以单键结合到与相邻碳原子形成三键的碳原子上的CF3基团，例如1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔或1，1，1，4，4，5，5，5-八氟-2-戊炔。

公开(公告)号：CN101622699A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006449.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  安田圣治 ,  井口敦智 ,  松冈孝明 ,  川村刚平 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。

公开(公告)号：CN1956155A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610137154.0

申请日：2006-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 北村彰规 ,  本田昌伸 ,  平井希 ,  中村昌洋 ,  杉本达也

IPC: H01L21/311 ,  G05B19/02

Abstract: 以光致抗蚀剂膜作为掩模，在光致抗蚀剂膜上，有选择地等离子体蚀刻SiO2膜，形成通孔。在等离子体蚀刻中，使用包含用CxFyO(x为4或5，y为整数，y/x为1～1.5)表示的含有不饱和氧的碳氟化合物气体的蚀刻气体。作为含有不饱和氧的碳氟化合物气体，使用例如C4F4O气体和C4F6O气体。

公开(公告)号：CN103946954B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201280052536.7

申请日：2012-10-24

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： M·布林克 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  宫副裕之 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24479

Abstract: 在衬底上形成硬掩膜层、软掩膜层和光致抗蚀剂的叠层。对所述光致抗蚀剂进行构图以包括至少一个开口。通过各向异性蚀刻将所述图形转移到所述软掩膜层中，该各向异性蚀刻形成包含比氟多的碳的富碳聚合物。可以通过采用利用包含比氟多的氢的氟代烃分子产生的包含氟代烃的等离子体，形成所述富碳聚合物。所述富碳聚合物涂覆所述软掩膜层的侧壁，并且防止转移到所述软掩膜中的图形被加宽。随后去除所述光致抗蚀剂，并且将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中。所述硬掩膜层的侧壁被所述富碳聚合物涂覆，以防止转移到所述硬掩膜中的图形被加宽。

公开(公告)号：CN103890918A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280052538.6

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： J·B·张 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 各向异性氮化硅蚀刻通过在硅表面和氧化硅表面上形成包含氟代烃的聚合物而提供相对于硅和氧化硅的选择性。采用选择性的氟代烃沉积来提供相对于非氮化物表面的选择性。包含氟代烃的聚合物与氮化硅相互作用以形成挥发性化合物，由此使得能够蚀刻氮化硅。包含氟代烃的聚合物以低反应速率与氧化硅相互作用，延迟或者完全停止对氧化硅的蚀刻。包含氟代烃的聚合物不与硅相互作用，并且保护硅不受等离子体蚀刻。在包括小于50nm的小尺寸的任何尺寸下，都可以采用该各向异性氮化硅蚀刻来相对于硅和氧化硅选择性地蚀刻氮化硅。

公开(公告)号：CN103890918B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280052538.6

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： J·B·张 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  M·A·古罗恩 ,  中村昌洋

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 各向异性氮化硅蚀刻通过在硅表面和氧化硅表面上形成包含氟代烃的聚合物而提供相对于硅和氧化硅的选择性。采用选择性的氟代烃沉积来提供相对于非氮化物表面的选择性。包含氟代烃的聚合物与氮化硅相互作用以形成挥发性化合物，由此使得能够蚀刻氮化硅。包含氟代烃的聚合物以低反应速率与氧化硅相互作用，延迟或者完全停止对氧化硅的蚀刻。包含氟代烃的聚合物不与硅相互作用，并且保护硅不受等离子体蚀刻。在包括小于50nm的小尺寸的任何尺寸下，都可以采用该各向异性氮化硅蚀刻来相对于硅和氧化硅选择性地蚀刻氮化硅。

公开(公告)号：CN106233436A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580022239.1

申请日：2015-04-15

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： E.A.约瑟夫 ,  苏玉冰 ,  E.西科尔斯基 ,  中村昌洋 ,  豪松浦

IPC: H01L21/3065

Abstract: 可以通过运行采用C5HF7的沉积工艺，或通过运行采用C5H2F6和SF6的交替的沉积和蚀刻工艺，来实现用于进行硅蚀刻工艺以及玻什法的蚀刻腔的预处理。已经发现，在预处理之后的第一各自工艺期间，对用于硅蚀刻工艺的蚀刻腔的预处理可以在对蚀刻轮廓没有副作用的情况下，将硅的蚀刻速率提高至少50％，同时蚀刻速率的提高系数随时间减小。通过在蚀刻腔中周期性地进行预处理，可以在对被处理的基板的蚀刻轮廓没有不利影响的情况下，提高蚀刻腔的吞吐量。

公开(公告)号：CN103946975B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280050854.X

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： M·布林克 ,  R·L·布鲁斯 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  宫副裕之 ,  中村昌洋

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成自下而上包括含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层。通过蚀刻图形化所述硬掩模层和互连层面电介质材料层。采用图形化的硬掩模材料作为蚀刻掩模，通过穿透性的各向异性蚀刻图形化所述含氮电介质层，该各向异性蚀刻使用含氟代烃的等离子体穿透所述含氮电介质层。用于产生所述含氟代烃的等离子体的氟代烃气体产生富碳的聚合物残留物，该残留物与所述含氮电介质层反应以形成挥发性化合物。等离子体能量可以被降低到100eV以下，从而减少了对互连层面电介质材料层的物理暴露表面的损伤。

公开(公告)号：CN1930415A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580007844.8

申请日：2005-02-16

Applicant: 大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  加藤丈佳 ,  田中公章 ,  中村昌洋 ,  田中克知

IPC: F17C1/10 ,  C23C4/10 ,  C23C8/16 ,  C23C8/18

CPC classification number: C23C30/00 ,  C23C4/11 ,  C23C8/02

Abstract: 本发明提供了一种处理原料气体的气体制造设备，并防止由气体供给容器引起的原料气体的污染。反应性高的原料气体，特别是氟化烃的气体制造设备和供给容器中的气体接触表面的表面粗糙度，按中心平均粗糙度Ra计为小于或等于1μm。优选在控制了表面粗糙度的气体接触表面形成氧化铬、氧化铝、氧化钇、氧化镁等的氧化性钝化膜。