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公开(公告)号：CN101556948A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN1930415A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007844.8
申请日：2005-02-16
Abstract: 本发明提供了一种处理原料气体的气体制造设备，并防止由气体供给容器引起的原料气体的污染。反应性高的原料气体，特别是氟化烃的气体制造设备和供给容器中的气体接触表面的表面粗糙度，按中心平均粗糙度Ra计为小于或等于1μm。优选在控制了表面粗糙度的气体接触表面形成氧化铬、氧化铝、氧化钇、氧化镁等的氧化性钝化膜。
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公开(公告)号：CN101942648A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010226730.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: C23C16/32
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146
Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1631057A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN03803506.5
申请日：2003-02-05
Applicant: 日本瑞翁株式会社
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/3295 , H01L2251/5315 , Y10T428/31544
Abstract: 有机电发光器件用覆膜，它是由全氟烯烃分解聚合物制成的，并且在波长范围400nm～800nm内其平均光透射率达到70％或以上，有机电发光器件，其中在基板上至少顺次形成电极层(阳极)、发光材料层、透明电极层(阴极)和这种覆膜，以及有机电发光器件的制备方法，其中通过采用以全氟烯烃为主要成分的原料气体用等离子体CVD法形成所述覆膜。
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公开(公告)号：CN1613143A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826800.8
申请日：2002-10-31
Applicant: 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C07C21/22 , C07C17/25 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 含有碳原子数5或6的链状全氟炔烃、优选全氟－2－戊炔的等离子体反应用气体。该等离子体反应用气体适用于通过干式蚀刻形成微细图案、通过CVD形成薄膜和灰化。上述等离子体反应用气体可通过使二氢氟烷烃化合物或一氢氟烯烃化合物与碱性化合物接触合成。
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公开(公告)号：CN101556948B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN1868044B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200480030545.1
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/314
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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