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公开(公告)号：CN101556948A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN101556948B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN1868044B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200480030545.1
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/314
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN101942648A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010226730.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: C23C16/32
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146
Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364433A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910231945.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/67 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在基板(W)上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域(R1～R3)中的氮化时间对应的参数之间的关系。
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公开(公告)号：CN100501939C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580034009.3
申请日：2005-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C5F8气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C4F6离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。
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公开(公告)号：CN1836317A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023355.7
申请日：2004-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0212 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/3127
Abstract: 本发明的成膜方法，其特征在于，该方法包括使用含有C和F的原料气体形成添加F的碳膜的工序；通过游离基对形成的所述添加F的碳膜进行改性的工序和对所述添加F的碳膜进行改性的工序，所述原料气体分子中的F原子数与C原子数之比F/C大于1且小于2。
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公开(公告)号：CN100508134C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480034324.1
申请日：2004-11-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/26 , C23C16/511
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/26 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/3244
Abstract: 从天线(7)的平面天线部件通过介质板(6)向处理容器(1)内放射微波，这样，可使从气体供给部件(3)供给至处理容器(1)内的C5F8气体等离子体化(活性化)，在半导体晶片(W)上形成一定厚度的添加氟的碳膜。当在每块晶片上进行成膜工序时，进行清洁工序和预涂层工序。在清洁工序中，利用氧气和氢气的等离子体来清洁处理容器内。在预涂层工序中，使C5F8气体等离子体化，形成比成膜工序形成的添加氟的碳膜薄的添加氟的碳的预涂层膜。
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公开(公告)号：CN1943021A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011029.9
申请日：2005-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314
CPC classification number: H01L21/3146 , H01L21/31058 , H01L21/312
Abstract: 本发明涉及半导体装置等电子装置用基板及其处理方法。在该基板的处理方法中，首先，准备电子装置用基板，在该基板的表面上形成由加氟碳(CF)构成的绝缘膜(I)。接着，通过使在例如氪(Kr)气的等离子体中生成的活性种(Kr+)与绝缘膜(I)的表面碰撞，使在绝缘膜(I)的表面上露出的氟(F)原子从该绝缘膜脱离。此时，至少从形成绝缘膜的工序之后直到使氟原子脱离的工序结束的期间，维持基板不与水分接触。
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