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公开(公告)号：CN101556948B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN1868044B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200480030545.1
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/314
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN101942648A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010226730.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: C23C16/32
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146
Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。
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公开(公告)号：CN101556948A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101903562B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200880122240.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。
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公开(公告)号：CN101952974A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105047.1
申请日：2009-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/048 , H01L31/02167 , Y02B10/12 , Y02E10/50
Abstract: 公开的是一种太阳能电池，其包含一种形成在基材上的太阳能电池半导体薄膜，一种透明导电膜形成在半导体薄膜上，和覆盖了透明导电膜的上表面的含氮水分扩散防止膜。水分扩散防止膜的最好至少由氮化硅膜或碳氮化硅(SiCN)膜组成。
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公开(公告)号：CN109468613A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811000943.9
申请日：2018-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，提供抑制对晶片的损伤，并以低温形成高品质的氮化硅膜的技术。当对在处理容器(1)内载置的晶片W供给Si2H6气体和NH3气体来形成SiN膜时，针对NH3气体，进行在与Si2H6气体反应前照射紫外线的远程紫外线照射，并供给至处理容器1内。因此，能够利用活化的NH3气体和Si2H6气体在较低的加热温度下在晶片W形成高品质的氮化硅膜。而且，由于设为对向处理容器1内导入前的NH3气体照射紫外线的远程紫外线处理，所以能够不对晶片W照射紫外线并抑制晶片W的损伤。
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公开(公告)号：CN101903562A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122240.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。
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公开(公告)号：CN100559567C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200580033312.1
申请日：2005-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/318
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L29/513
Abstract: 提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布，得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法，是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法，包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离子体处理装置内，由等离子体生成氧氮化种，在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序，所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全部气体量为0.00001～0.01%的NO气体。
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