公开(公告)号：CN105009259B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201480010437.1

申请日：2014-03-04

申请人： 应用材料公司

发明人： 特里萨·克莱默·瓜里尼 ,  刘炜

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02269 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68757

摘要： 本文提供形成含氮层的方法和设备。在一些实施方式中，方法包括把基板放到处理腔室的基板支撑件上，基板具有设置在上面的第一层；将基板加热至第一温度；和使第一层暴露于RF等离子体，RF等离子体由包括氨(NH3)的工艺气体形成，以将第一层转化成含氮层，其中等离子体具有小于约8eV的离子能量。

公开(公告)号：CN107305842A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201610260598.7

申请日：2016-04-25

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 黄同隽 ,  蔡世鸿 ,  冯立伟 ,  郑志祥

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28202

摘要： 本发明公开一种栅介电层的制造方法，包括下列步骤。提供氧化物层。在N2O的环境中，对氧化物层进行第一回火制作工艺。在进行第一回火制作工艺之后，在NH3的环境中，对氧化物层进行第二回火制作工艺。上述栅介电层的制造方法可同时降低等效氧化物厚度与漏电流。

公开(公告)号：CN103456640B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310134217.7

申请日：2013-04-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： H·杰加纳森 ,  P·C·杰米森

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及包括场效应晶体管的半导体结构及其方法。分层的栅极电介质叠层包括：包含第一高介电常数（高k）电介质材料的第一高k栅极电介质、包含具有与第一高k电介质材料不同的带隙的电介质材料的带隙干扰电介质以及包含第二高k电介质材料的第二高k栅极电介质。带隙干扰电介质包括电介质材料的至少一个连续原子层。因此分层的栅极电介质叠层包括第一高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第一原子界面，以及通过带隙干扰电介质的电介质材料的至少一个连续原子层与第一原子界面分隔的第二高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第二原子界面。带隙干扰电介质的插入导致更低的栅极泄露，而不会导致阈值电压特性和有效氧化物厚度的任何显著变化。

公开(公告)号：CN103380488B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201180067895.5

申请日：2011-12-19

申请人： 赛普拉斯半导体公司

发明人： S·房 ,  T-S·陈

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/28202 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/518

摘要： 本发明的实施例是直接涉及场效应晶体管的栅极侧壁工程。该技术包含区块介电区的形成及其表面的氮化。在该区块介电区的氮化后，在其上形成栅极区且氧化该栅极区的侧壁以圆化栅极尖角及减少在该栅极角的电场。

公开(公告)号：CN103426742B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210164991.8

申请日：2012-05-24

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 李凤莲 ,  倪景华

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： 一种半导体结构以及一种晶体管的形成方法，其中所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，采用化学氧化工艺在所述半导体衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成高K介质层；在形成高K介质层后，进行第一次热退火，去除所述第一介质层，所述第一次热退火的气体为氮气；在第一次热退火后，进行第二次热退火，在所述高K介质层和半导体衬底之间形成第二介质层，所述第二次热退火的气体为氧化氮。所形成的高K介质层和第二介质层致密、缺陷少，从而使所形成的晶体管的性能提高。

公开(公告)号：CN102782816B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180011913.8

申请日：2011-02-28

申请人： 应用材料公司

发明人： 乌陀衍·甘古利 ,  特里萨·克莱默·瓜里尼 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  横田义孝 ,  约翰内斯·S·斯温伯格 ,  马尔科姆·J·贝文

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： H01L21/02247 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

摘要： 提供选择性单步骤氮化半导体基板的方法与设备。利用选择性氮化工艺，将氮选择性地并入具有硅区和氧化硅区的半导体基板的硅区。通过形成含氮等离子体及过滤或去除等离子体中的离子，可将含氮自由基导向基板，或者可执行使用选择性前驱物的热氮化工艺。远程等离子体产生器可耦接至处理腔室，其所述远程等离子体产生器选择性地包括一个或多个离子滤器、喷淋头和自由基分配器，或者可产生原位等离子体并且一个或多个离子滤器或屏蔽设置在腔室内并位于等离子体产生区与基板支撑件之间。

公开(公告)号：CN103456640A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310134217.7

申请日：2013-04-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： H·杰加纳森 ,  P·C·杰米森

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及包括场效应晶体管的半导体结构及其方法。分层的栅极电介质叠层包括：包含第一高介电常数（高k）电介质材料的第一高k栅极电介质、包含具有与第一高k电介质材料不同的带隙的电介质材料的带隙干扰电介质以及包含第二高k电介质材料的第二高k栅极电介质。带隙干扰电介质包括电介质材料的至少一个连续原子层。因此分层的栅极电介质叠层包括第一高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第一原子界面，以及通过带隙干扰电介质的电介质材料的至少一个连续原子层与第一原子界面分隔的第二高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第二原子界面。带隙干扰电介质的插入导致更低的栅极泄露，而不会导致阈值电压特性和有效氧化物厚度的任何显著变化。

公开(公告)号：CN102779743A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110337456.3

申请日：2011-10-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄俊鸿 ,  林育贤 ,  林明仪 ,  陈志辉

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

摘要： 本发明公开了集成电路器件和制造集成电路器件的方法。该集成电路器件包括核心器件和输入/输出电路。核心器件和输入/输出电路中的每个都包括PMOS结构和NMOS结构。每个PMOS都包括位于高-k介电层上方的p-型金属功函数层，且每个NMOS结构都包括位于高-k介电层上方的n-型金属功函数层。在输入/输出电路中，在高-k介电层的下方存在有氧化层。本发明还提供了一种集成半导体结构的制造方法。

公开(公告)号：CN102664192A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210139560.6

申请日：2012-05-08

申请人： 北京大学

发明人： 黄如 ,  黄芊芊 ,  詹瞻 ,  邱颖鑫 ,  王阳元

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66977 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7391

摘要： 本发明提供了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明的核心是：对于N型晶体管，掺杂源区在N-掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入P+，使得该注入部分原有的N-掺杂完全被补偿为P+；对于P型晶体管，掺杂源区在P-掺杂的基础上，在靠近控制栅边缘的一侧又注入N+，使得该注入部分原有的P-掺杂完全被补偿为N+。本发明器件结构采用源区两次不同浓度的掺杂注入，有效地结合了MOSFET导通电流大的特征，提高了器件的开态电流，且自适应地实现了该器件MOSFET和TFET部分的阈值调节。

公开(公告)号：CN101919030B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880120934.1

申请日：2008-09-19

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 清野拓哉 ,  池本学 ,  真下公子

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02049 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/67196 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66651

摘要： 本发明提供基板清洗设备及方法、在MOS结构中形成栅极绝缘膜的方法，等离子体形成室具有高频施加电极，其具有通孔，比值V2/V1被设定在0.01至0.8的范围，V1是高频施加电极的包括通孔在内的总体积，V2是通孔的总体积；等离子体约束电极板具有自由基导入孔和处理气体导入孔，等离子体约束电极板配置成与基板保持件的基板支撑面相面对且被电接地，自由基导入孔配置成允许等离子体中的中性自由基通过该孔而进入基板清洗处理室中，同时阻止等离子体中的带电粒子通过该孔，处理气体经由处理气体导入孔导入到基板清洗处理室中，从等离子体约束电极板的表面朝向放置于基板保持件的基板的表面导入自由基和处理气体，以对基板进行清洗。