公开(公告)号：CN103456640B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310134217.7

申请日：2013-04-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： H·杰加纳森 ,  P·C·杰米森

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及包括场效应晶体管的半导体结构及其方法。分层的栅极电介质叠层包括：包含第一高介电常数（高k）电介质材料的第一高k栅极电介质、包含具有与第一高k电介质材料不同的带隙的电介质材料的带隙干扰电介质以及包含第二高k电介质材料的第二高k栅极电介质。带隙干扰电介质包括电介质材料的至少一个连续原子层。因此分层的栅极电介质叠层包括第一高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第一原子界面，以及通过带隙干扰电介质的电介质材料的至少一个连续原子层与第一原子界面分隔的第二高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第二原子界面。带隙干扰电介质的插入导致更低的栅极泄露，而不会导致阈值电压特性和有效氧化物厚度的任何显著变化。

公开(公告)号：CN103456640A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310134217.7

申请日：2013-04-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： H·杰加纳森 ,  P·C·杰米森

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及包括场效应晶体管的半导体结构及其方法。分层的栅极电介质叠层包括：包含第一高介电常数（高k）电介质材料的第一高k栅极电介质、包含具有与第一高k电介质材料不同的带隙的电介质材料的带隙干扰电介质以及包含第二高k电介质材料的第二高k栅极电介质。带隙干扰电介质包括电介质材料的至少一个连续原子层。因此分层的栅极电介质叠层包括第一高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第一原子界面，以及通过带隙干扰电介质的电介质材料的至少一个连续原子层与第一原子界面分隔的第二高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第二原子界面。带隙干扰电介质的插入导致更低的栅极泄露，而不会导致阈值电压特性和有效氧化物厚度的任何显著变化。

公开(公告)号：CN101218684A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200580038832.1

申请日：2005-11-01

申请人： 国际商业机器公司

发明人： N·A·小博杰尔祖克 ,  C·小伽布拉尔 ,  E·A·卡蒂尔 ,  M·M·弗兰克 ,  E·P·古塞夫 ,  S·古哈 ,  P·C·杰米森 ,  R·詹米 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁许里

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 一种半导体结构，包括在栅介质和栅电极之间的Vt稳定层。该Vt稳定层能够将该结构的阈电压和平带电压稳定到目标值、并包含氮化的金属氧化物或无氮的金属氧化物，其条件是，当所述Vt稳定层包含无氮的金属氧化物时，所述半导体衬底和所述栅介质中的至少一个含氮。本发明还提供制造这种结构的方法。