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公开(公告)号：CN103180970A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051453.1
申请日：2011-10-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0326 , H01L31/022483 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种制造诸如CuZnSn(S,Se)（CZTSSe）之类的太阳能电池的方法，包括以下步骤。利用钼（Mo）层来涂覆基板。将应力消减层沉积在Mo层上。利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层。将吸收层构成成分沉积在扩散阻挡层上，其中，该构成成分包括硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。对该构成成分进行退火，以形成吸收层，其中，所述应力消减层消减对所述吸收层施加的热应力，并且其中，所述扩散阻挡层阻止S和Se中的一种或多种扩散至Mo层中。在所述吸收层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成透明导电电极。
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公开(公告)号：CN102597722A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080050861.0
申请日：2010-10-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G01J1/42
CPC classification number: G06T7/0004 , G06T2207/10048
Abstract: 提供了用于分析太阳能电池板和/或电池的性能的技术。在一方面中，提供了用于分析使用红外摄像机拍摄的红外热影像的方法。该方法包括以下步骤。将所述红外热影像转换成温度数据。在所述红外热影像中隔离个体单元。将每个隔离的单元的温度数据列表。基于所列表的温度数据而判定每个隔离的单元的性能状态。所述个体单元可包括太阳能电池板和/或太阳能电池。在另一方面中，提供了红外诊断系统。所述红外诊断系统包括：红外摄像机，其可相对于待成像的一个或多个单元而远程定位；以及计算机，其被配置为经由通信链路而从所述红外摄像机接收热影像且分析所述热影像。
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公开(公告)号：CN101103658A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200580046766.2
申请日：2005-10-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H05K7/20
CPC classification number: H01L23/3733 , H01L23/4093 , H01L23/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于将热源耦合到散热器的热界面。本发明的一个实施例包括格网和设置在格网中的液体例如导热液体。该格网和导热液体当设置在热源和散热器之间时适于接触热源和散热器。在一个实施例中，该格网包括与液体相容的金属或有机材料。在一个实施例中，该液体可以包括液体金属。例如，该液体可以包括镓铟锡合金。可以选择使用衬垫，以将格网和液体密封在热源和散热器之间。在一个实施例中，热源是集成电路芯片。
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公开(公告)号：CN103180970B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180051453.1
申请日：2011-10-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0326 , H01L31/022483 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种制造诸如CuZnSn(S,Se)（CZTSSe）之类的太阳能电池的方法，包括以下步骤。利用钼（Mo）层来涂覆基板。将应力消减层沉积在Mo层上。利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层。将吸收层构成成分沉积在扩散阻挡层上，其中，该构成成分包括硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。对该构成成分进行退火，以形成吸收层，其中，所述应力消减层消减对所述吸收层施加的热应力，并且其中，所述扩散阻挡层阻止S和Se中的一种或多种扩散至Mo层中。在所述吸收层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成透明导电电极。
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公开(公告)号：CN103996739A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410168382.9
申请日：2010-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/035227 , Y10S977/813 , Y10S977/827
Abstract: 本发明提供用于制造基于纳米线/微线的太阳能电池的技术。在一个方面中，提供用于制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤。提供掺杂衬底。在该衬底上沉积单层球体。该球体包括纳米球、微球或其组合。修整该球体以在单层中的单独球体之间引入空间。修整后的球体被用作掩模以对该衬底中的接线进行图案化。该接线包括纳米线、微线或其组合。在图案化的接线上形成掺杂发射极层。在该发射极层之上沉积顶部接触电极。在该衬底的与该接线相反的一侧上沉积底部接触电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102906883A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201080052233.6
申请日：2010-10-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本公开涉及用于光伏电池的无栅线接触。与光伏电池的前侧的电接触由导电贯穿衬底通孔的阵列和可选地，位于光伏电池的前侧的导电块的阵列形成。介电内衬提供每个导电贯穿衬底通孔和光伏电池的半导体材料的电绝缘。在光伏电池的背侧的介电层被图案化，以覆盖包括所有导电贯穿衬底通孔的连续区域，同时露出光伏电池的背侧的一部分。在光伏电池的背面沉积导电材料层，然后使之图案化，从而形成电连接导电贯穿衬底通孔的第一导电配线结构，和提供到光伏电池的背侧的电连接的第二导电配线结构。
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公开(公告)号：CN101409234B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810128976.1
申请日：2008-06-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , C23C16/40
CPC classification number: H01L21/28088 , H01L21/28194 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，涉及在高k栅极电介质/界面层的叠层上形成包含电正性金属的覆盖层，其避免化学和物理地更改高k栅极电介质和界面层。该方法包括在大约400℃或更低的温度下包含电正性金属的前体的化学汽相沉积。本发明也提供半导体结构例如MOSCAP和MOSFET，其包括位于高k栅极电介质和界面层的叠层上的化学汽相沉积的包含电正性金属的覆盖层。CVD包含电正性金属的覆盖层的存在不会物理或化学地更改高k栅极电介质和界面层。
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公开(公告)号：CN100576988C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580046766.2
申请日：2005-10-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H05K7/20
CPC classification number: H01L23/3733 , H01L23/4093 , H01L23/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于将热源耦合到散热器的热界面。本发明的一个实施例包括格网和设置在格网中的液体例如导热液体。该格网和导热液体当设置在热源和散热器之间时适于接触热源和散热器。在一个实施例中，该格网包括与液体相容的金属或有机材料。在一个实施例中，该液体可以包括液体金属。例如，该液体可以包括镓铟锡合金。可以选择使用衬垫，以将格网和液体密封在热源和散热器之间。在一个实施例中，热源是集成电路芯片。
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公开(公告)号：CN101404300A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810213332.2
申请日：2008-08-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/024 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/052 , H01L31/0521 , H01L31/054 , Y02E10/52
Abstract: 提供了太阳能聚光器设备以及制造该设备的技术。一方面，提供了一种太阳能聚光器设备。太阳能聚光设备包括至少一个太阳能转换器电池；散热器；以及太阳能转换器电池和散热器之间的液态金属，配置用于在设备的操作期间热耦合太阳能转换器电池和散热器。太阳能转换器电池可以包括在锗(Ge)衬底上制造的三结半导体太阳能转换器电池。散热器可以包括蒸汽室散热器。液态金属可以包括镓(Ga)合金并且具有小于或者等于大约五平方毫米摄氏度每瓦特(mm2℃/W)的热阻。
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公开(公告)号：CN101361173A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001799.4
申请日：2007-01-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/517 , H01L21/28088 , H01L21/823828 , H01L21/823857 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供半导体结构，例如场效应晶体管(FET)和/或金属－氧化物－半导体电容器(MOSCAP)，其中通过向包含金属的材料层中引入金属杂质来改变导电电极叠层的功函数，该包含金属的材料层与导电电极一起存在于电极叠层中。金属杂质的选择取决于电极具有n型功函数还是p型功函数。本发明还提供一种制造该半导体结构的方法。金属杂质的引入可以通过共沉积这样的层而实现，该层包含包含金属的材料和改变功函数的金属材料，形成其中在包含金属的材料的层之间存在金属杂质层的叠层，或者通过在包含金属的材料之上和/或之下形成包括金属杂质的材料层，然后加热该结构以将金属杂质引入包含金属的材料中而实现。
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