一种半导体结构以及一种晶体管的形成方法，其中所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，采用化学氧化工艺在所述半导体衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成高K介质层；在形成高K介质层后，进行第一次热退火，去除所述第一介质层，所述第一次热退火的气体为氮气；在第一次热退火后，进行第二次热退火，在所述高K介质层和半导体衬底之间形成第二介质层，所述第二次热退火的气体为氧化氮。所形成的高K介质层和第二介质层致密、缺陷少，从而使所形成的晶体管的性能提高。