公开(公告)号：CN102792425B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180013229.3

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  横田义孝 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  乔斯·A·马林 ,  阿吉特·巴拉克里斯南 ,  雅各布·纽曼 ,  斯特芬·C·希克森

IPC: H01L21/3065

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102782816B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180011913.8

申请日：2011-02-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  特里萨·克莱默·瓜里尼 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  横田义孝 ,  约翰内斯·S·斯温伯格 ,  马尔科姆·J·贝文

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02247 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

Abstract: 提供选择性单步骤氮化半导体基板的方法与设备。利用选择性氮化工艺，将氮选择性地并入具有硅区和氧化硅区的半导体基板的硅区。通过形成含氮等离子体及过滤或去除等离子体中的离子，可将含氮自由基导向基板，或者可执行使用选择性前驱物的热氮化工艺。远程等离子体产生器可耦接至处理腔室，其所述远程等离子体产生器选择性地包括一个或多个离子滤器、喷淋头和自由基分配器，或者可产生原位等离子体并且一个或多个离子滤器或屏蔽设置在腔室内并位于等离子体产生区与基板支撑件之间。

公开(公告)号：CN106024587B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201610557179.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  横田义孝 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  乔斯·A·马林 ,  阿吉特·巴拉克里斯南 ,  雅各布·纽曼 ,  斯特芬·C·希克森

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/11521

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102792425A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180013229.3

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  横田义孝 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  乔斯·A·马林 ,  阿吉特·巴拉克里斯南 ,  雅各布·纽曼 ,  斯特芬·C·希克森

IPC: H01L21/3065

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102301459A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005910.9

申请日：2010-01-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿古斯·S·查德拉 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  横田义孝

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明公开在半导体衬底上形成氧化物层的方法和设备。在一个或多个实施例中，利用等离子体氧化法通过将半导体衬底温度控制在低于约100℃来形成共形氧化物层。根据一个或多个实施例的控制半导体衬底温度的方法包含使用静电夹盘以及冷却剂和气体对流。

公开(公告)号：CN106024587A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610557179.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  横田义孝 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 ,  维基·阮 ,  斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 ,  刘伟 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  乔斯·A·马林 ,  阿吉特·巴拉克里斯南 ,  雅各布·纽曼 ,  斯特芬·C·希克森

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/762 ,  H01L27/115

Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

公开(公告)号：CN102782816A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011913.8

申请日：2011-02-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 乌陀衍·甘古利 ,  特里萨·克莱默·瓜里尼 ,  马修·斯科特·罗杰斯 ,  横田义孝 ,  约翰内斯·S·斯温伯格 ,  马尔科姆·J·贝文

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02247 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7881

Abstract: 提供选择性单步骤氮化半导体基板的方法与设备。利用选择性氮化工艺，将氮选择性地并入具有硅区和氧化硅区的半导体基板的硅区。通过形成含氮等离子体及过滤或去除等离子体中的离子，可将含氮自由基导向基板，或者可执行使用选择性前驱物的热氮化工艺。远程等离子体产生器可耦接至处理腔室，其所述远程等离子体产生器选择性地包括一个或多个离子滤器、喷淋头和自由基分配器，或者可产生原位等离子体并且一个或多个离子滤器或屏蔽设置在腔室内并位于等离子体产生区与基板支撑件之间。

公开(公告)号：CN102301459B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201080005910.9

申请日：2010-01-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿古斯·S·查德拉 ,  克里斯托弗·S·奥尔森 ,  约翰内斯·F·斯温伯格 ,  横田义孝

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明公开在半导体衬底上形成氧化物层的方法和设备。在一个或多个实施例中，利用等离子体氧化法通过将半导体衬底温度控制在低于约100℃来形成共形氧化物层。根据一个或多个实施例的控制半导体衬底温度的方法包含使用静电夹盘以及冷却剂和气体对流。

公开(公告)号：CN101437626B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200780015969.4

申请日：2007-04-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·瑞尼西 ,  横田义孝

IPC: B05D3/06

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 揭示了一种对基板(231)进行热处理的装置(200)和方法，所述装置包括：被置于腔室(230)之内的UV辐射源(222)；以及被置于腔室(230)之外的红外线源(208)，用于提供热能、活化电子、或在腔室(230)内产生活化物质。

公开(公告)号：CN101896995B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880120627.3

申请日：2008-12-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 曾明贵(迈克尔) ,  诺曼·塔姆 ,  横田义孝 ,  阿古斯·查德拉 ,  罗伯特·纳瓦斯卡 ,  梅德赫拉恩·贝赫贾特 ,  森德·拉马默蒂 ,  凯达尔纳什·桑格姆 ,  亚历山大·N·勒纳

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  F27D7/06 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098

Abstract: 本发明的实施例提供用于改善热处理期间的气体分布的设备及方法。本发明的一个实施例提供一种用于处理基板的设备，该设备包括：腔室主体，该腔室主体界定一处理容积；基板支撑件，该基板支撑件设置于该处理容积中，其中该基板支撑件配置以支撑并旋转该基板；气体入口组件，该气体入口组件耦接至该腔室主体的入口，并配置以提供第一气流至该处理容积；以及排气组件，该排气组件耦接至该腔室主体的出口，其中该气体入口组件及该排气组件设置在该腔室主体的相对侧，且该排气组件界定配置以延伸该处理容积的排气容积。