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公开(公告)号：CN104704613A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380052521.5
申请日：2013-10-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/0217 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6831
Abstract: 提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理具有第一层的基板的方法可包括以下步骤：设置基板于基板支撑件上，所述基板支撑件位于工艺腔室的下处理空间内且在离子防护件下，所述离子防护件具有被施加到所述离子防护件的偏压功率，所述离子防护件包括实质上平坦部件和多个孔，所述实质上平坦部件被支撑成平行于所述基板支撑件，所述多个孔被形成为穿过所述平坦部件，其中所述孔的直径与所述平坦部件的厚度的比具有约10:1至约1:10的范围；使工艺气体流动到所述离子防护件上方的上处理空间内；在所述上处理空间中从所述工艺气体形成等离子体；用通过所述离子防护件的中性自由基来处理所述第一层；并将所述基板加热到高达约550℃的温度，同时处理所述第一层。
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公开(公告)号：CN106024587A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557179.X
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 横田义孝 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 乔斯·A·马林 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 雅各布·纽曼 , 斯特芬·C·希克森
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L27/115
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN103354947A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201180067385.8
申请日：2011-07-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·S·奥尔森 , 坎芬·莱 , 森德·拉马默蒂 , 约翰内斯·斯温伯格 , 刘伟
IPC: H01L21/316 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/517 , H01J37/32082 , H01J37/32357
Abstract: 本发明描述用于处理半导体基板的方法和设备。处理腔室包括基板支撑件和原位等离子体源，该原位等离子体源可为电感应式波源、电容波源、微波波源或毫米波源，该原位等离子体源面对该基板支撑件和辐射加热源，该辐射加热源可为与该基板支撑件分隔的一排加热灯。该支撑件可位于该原位等离子体源与该辐射加热源之间，且该支撑件可转动。一种处理基板的方法包括以下步骤：通过将该基板暴露至在处理腔室中产生的等离子体而形成氧化层；在该腔室中的该基板上执行等离子体氮化工艺；当将该基板暴露至形成在该腔室外侧的氧自由基时，使用设置在该腔室中的辐射加热源而热处理该基板；和通过将该基板暴露至产生在该腔室中的等离子体而形成电极。
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公开(公告)号：CN106024587B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201610557179.X
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 横田义孝 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 乔斯·A·马林 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 雅各布·纽曼 , 斯特芬·C·希克森
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/762 , H01L21/3065 , H01L27/11521
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104704613B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201380052521.5
申请日：2013-10-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/0217 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6831
Abstract: 提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理具有第一层的基板的方法可包括以下步骤：设置基板于基板支撑件上，所述基板支撑件位于工艺腔室的下处理空间内且在离子防护件下，所述离子防护件具有被施加到所述离子防护件的偏压功率，所述离子防护件包括实质上平坦部件和多个孔，所述实质上平坦部件被支撑成平行于所述基板支撑件，所述多个孔被形成为穿过所述平坦部件，其中所述孔的直径与所述平坦部件的厚度的比具有约10:1至约1:10的范围；使工艺气体流动到所述离子防护件上方的上处理空间内；在所述上处理空间中从所述工艺气体形成等离子体；用通过所述离子防护件的中性自由基来处理所述第一层；并将所述基板加热到高达约550℃的温度，同时处理所述第一层。
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公开(公告)号：CN102822947A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180013212.8
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·缪尔·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 孙士雨
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/0223 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/68785 , H01L27/11521
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN102792425A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013229.3
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 横田义孝 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 乔斯·A·马林 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 雅各布·纽曼 , 斯特芬·C·希克森
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN102792425B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180013229.3
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 横田义孝 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 乔斯·A·马林 , 阿吉特·巴拉克里斯南 , 雅各布·纽曼 , 斯特芬·C·希克森
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN102822947B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180013212.8
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌陀衍·甘古利 , 约瑟夫·M·拉内什 , 阿伦·缪尔·亨特 , 汤静 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 马修·D·科特奈伊-卡斯特 , 维基·阮 , 斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 , 刘伟 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 孙士雨
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/0223 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/68785 , H01L27/11521
Abstract: 在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。
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