-
公开(公告)号：CN104106128A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201380008823.2
申请日：2013-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿古斯·查德拉 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 约翰内斯·斯温伯格 , 劳拉·郝勒查克
IPC: H01L21/318 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/67098 , H01L21/02238 , H01L21/02244 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248
Abstract: 本文提供了用于改进针对工艺腔室中的金属的选择性氧化的方法和设备。在一些实施方式中，氧化设置在具有由一或多个腔室壁界定的处理空间的工艺腔室中的基板的第一表面的方法可包括：将基板暴露于氧化气体以氧化第一表面；和主动地加热一或多个腔室壁的至少一个腔室壁以使一或多个腔室壁的温度升高至至少水的露点的第一温度，同时暴露基板至氧化气体。
-
公开(公告)号：CN115004340A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202080074377.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 可执行处理方法以产生可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括以下步骤：在半导体基板上方形成硅层。半导体基板可包括硅锗。方法可包括以下步骤：在维持硅层的一部分与半导体基板接触的同时，氧化硅层的一部分以形成牺牲氧化物。方法可包括以下步骤：移除牺牲氧化物。方法可包括以下步骤：氧化与半导体基板接触的硅层的该部分以形成含氧材料。方法可包括以下步骤：形成覆盖含氧材料的高k介电材料。
-
公开(公告)号：CN104704613A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380052521.5
申请日：2013-10-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/0217 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6831
Abstract: 提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理具有第一层的基板的方法可包括以下步骤：设置基板于基板支撑件上，所述基板支撑件位于工艺腔室的下处理空间内且在离子防护件下，所述离子防护件具有被施加到所述离子防护件的偏压功率，所述离子防护件包括实质上平坦部件和多个孔，所述实质上平坦部件被支撑成平行于所述基板支撑件，所述多个孔被形成为穿过所述平坦部件，其中所述孔的直径与所述平坦部件的厚度的比具有约10:1至约1:10的范围；使工艺气体流动到所述离子防护件上方的上处理空间内；在所述上处理空间中从所述工艺气体形成等离子体；用通过所述离子防护件的中性自由基来处理所述第一层；并将所述基板加热到高达约550℃的温度，同时处理所述第一层。
-
公开(公告)号：CN114072894B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202080032700.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 可实行处理方法以生产可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括将含氮前驱物或含氧前驱物输送至在半导体处理腔室中含有的基板。方法可包括以含氮前驱物或含氧前驱物在基板的暴露的表面上形成反应配体。方法还可包括形成覆盖基板的高k介电材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115702476A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180043288.9
申请日：2021-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/225 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/28 , H01L21/8234
Abstract: 可执行处理方法以产生半导体结构。这些方法可包括在半导体基板之上形成硅层。此形成可包括形成并入掺杂剂的硅层。这些方法可包括使此硅层的一部分氧化，同时保持此硅层的一部分与此半导体基板接触。此氧化可驱使此掺杂剂的一部分通过此硅层且进入此半导体基板。
-
公开(公告)号：CN103354947A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201180067385.8
申请日：2011-07-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·S·奥尔森 , 坎芬·莱 , 森德·拉马默蒂 , 约翰内斯·斯温伯格 , 刘伟
IPC: H01L21/316 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/517 , H01J37/32082 , H01J37/32357
Abstract: 本发明描述用于处理半导体基板的方法和设备。处理腔室包括基板支撑件和原位等离子体源，该原位等离子体源可为电感应式波源、电容波源、微波波源或毫米波源，该原位等离子体源面对该基板支撑件和辐射加热源，该辐射加热源可为与该基板支撑件分隔的一排加热灯。该支撑件可位于该原位等离子体源与该辐射加热源之间，且该支撑件可转动。一种处理基板的方法包括以下步骤：通过将该基板暴露至在处理腔室中产生的等离子体而形成氧化层；在该腔室中的该基板上执行等离子体氮化工艺；当将该基板暴露至形成在该腔室外侧的氧自由基时，使用设置在该腔室中的辐射加热源而热处理该基板；和通过将该基板暴露至产生在该腔室中的等离子体而形成电极。
-
公开(公告)号：CN114072894A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080032700.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 可实行处理方法以生产可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括将含氮前驱物或含氧前驱物输送至在半导体处理腔室中含有的基板。方法可包括以含氮前驱物或含氧前驱物在基板的暴露的表面上形成反应配体。方法还可包括形成覆盖基板的高k介电材料。
-
公开(公告)号：CN104704613B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201380052521.5
申请日：2013-10-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/0217 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6831
Abstract: 提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理具有第一层的基板的方法可包括以下步骤：设置基板于基板支撑件上，所述基板支撑件位于工艺腔室的下处理空间内且在离子防护件下，所述离子防护件具有被施加到所述离子防护件的偏压功率，所述离子防护件包括实质上平坦部件和多个孔，所述实质上平坦部件被支撑成平行于所述基板支撑件，所述多个孔被形成为穿过所述平坦部件，其中所述孔的直径与所述平坦部件的厚度的比具有约10:1至约1:10的范围；使工艺气体流动到所述离子防护件上方的上处理空间内；在所述上处理空间中从所述工艺气体形成等离子体；用通过所述离子防护件的中性自由基来处理所述第一层；并将所述基板加热到高达约550℃的温度，同时处理所述第一层。
-
公开(公告)号：CN104106128B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380008823.2
申请日：2013-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿古斯·查德拉 , 克里斯托弗·S·奥尔森 , 约翰内斯·斯温伯格 , 劳拉·郝勒查克
IPC: H01L21/318 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/67098 , H01L21/02238 , H01L21/02244 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248
Abstract: 本文提供了用于改进针对工艺腔室中的金属的选择性氧化的方法和设备。在一些实施方式中，氧化设置在具有由一或多个腔室壁界定的处理空间的工艺腔室中的基板的第一表面的方法可包括：将基板暴露于氧化气体以氧化第一表面；和主动地加热一或多个腔室壁的至少一个腔室壁以使一或多个腔室壁的温度升高至至少水的露点的第一温度，同时暴露基板至氧化气体。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.019 seconds)
