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公开(公告)号：CN114072894B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202080032700.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 可实行处理方法以生产可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括将含氮前驱物或含氧前驱物输送至在半导体处理腔室中含有的基板。方法可包括以含氮前驱物或含氧前驱物在基板的暴露的表面上形成反应配体。方法还可包括形成覆盖基板的高k介电材料。
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公开(公告)号：CN110998788B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201880050680.4
申请日：2018-08-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 描述了包含使用水作为氧化剂通过原子层沉积形成金属氧化物膜的方法。金属氧化物膜被暴露于去耦等离子体以降低金属氧化物膜的湿式蚀刻速率，所述去耦等离子体包含He、H2或O2的一或多种。
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公开(公告)号：CN110998788A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050680.4
申请日：2018-08-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/324
Abstract: 描述了包含使用水作为氧化剂通过原子层沉积形成金属氧化物膜的方法。金属氧化物膜被暴露于去耦等离子体以降低金属氧化物膜的湿式蚀刻速率，所述去耦等离子体包含He、H2或O2的一或多种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101238540B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680028471.7
申请日：2006-06-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 佐藤达也 , 帕特里夏·M·刘 , 法诺斯·克里斯图杜鲁
IPC: H01L21/318 , H01L21/31 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02 , H01J37/32862 , H01L21/28202 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , Y10T29/41
Abstract: 本发明的第一方面提供了第一方法。第一方法包括步骤：(1)用高强度等离子体将处理室预处理；(2)将衬底装入所述处理室；和(3)在所述处理室内对所述衬底进行等离子体氮化。预处理所述处理室使用的等离子体功率比所述衬底的等离子体氮化过程中使用的等离子体功率高至少150％。本发明还提供许多其它方面。
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公开(公告)号：CN112740397B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN201980060595.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马克·沙丽 , 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 杰弗里·W·安西斯 , 佐藤达也
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 沉积膜的方法包括在基板表面的特征中以自下而上方式沉积含铝间隙填充膜。基板可连续暴露于含铝前驱物、反应物、氟化剂和蚀刻剂任意次数，以促进特征中膜的自下而上生长。
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公开(公告)号：CN114072894A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080032700.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 可实行处理方法以生产可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括将含氮前驱物或含氧前驱物输送至在半导体处理腔室中含有的基板。方法可包括以含氮前驱物或含氧前驱物在基板的暴露的表面上形成反应配体。方法还可包括形成覆盖基板的高k介电材料。
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公开(公告)号：CN101238540A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680028471.7
申请日：2006-06-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 佐藤达也 , 帕特里夏·M·刘 , 法诺斯·克里斯图杜鲁
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/02 , H01J37/32862 , H01L21/28202 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , Y10T29/41
Abstract: 本发明的第一方面提供了第一方法。第一方法包括步骤：(1)用高强度等离子体将处理室预处理；(2)将衬底装入所述处理室；和(3)在所述处理室内对所述衬底进行等离子体氮化。预处理所述处理室使用的等离子体功率比所述衬底的等离子体氮化过程中使用的等离子体功率高至少150％。本发明还提供许多其它方面。
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公开(公告)号：CN112740397A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980060595.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马克·沙丽 , 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 杰弗里·W·安西斯 , 佐藤达也
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 沉积膜的方法包括在基板表面的特征中以自下而上方式沉积含铝间隙填充膜。基板可连续暴露于含铝前驱物、反应物、氟化剂和蚀刻剂任意次数，以促进特征中膜的自下而上生长。
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