公开(公告)号：CN103354947A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201180067385.8

申请日：2011-07-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯托弗·S·奥尔森 ,  坎芬·莱 ,  森德·拉马默蒂 ,  约翰内斯·斯温伯格 ,  刘伟

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/517 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357

Abstract: 本发明描述用于处理半导体基板的方法和设备。处理腔室包括基板支撑件和原位等离子体源，该原位等离子体源可为电感应式波源、电容波源、微波波源或毫米波源，该原位等离子体源面对该基板支撑件和辐射加热源，该辐射加热源可为与该基板支撑件分隔的一排加热灯。该支撑件可位于该原位等离子体源与该辐射加热源之间，且该支撑件可转动。一种处理基板的方法包括以下步骤：通过将该基板暴露至在处理腔室中产生的等离子体而形成氧化层；在该腔室中的该基板上执行等离子体氮化工艺；当将该基板暴露至形成在该腔室外侧的氧自由基时，使用设置在该腔室中的辐射加热源而热处理该基板；和通过将该基板暴露至产生在该腔室中的等离子体而形成电极。

公开(公告)号：CN101369526B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200810210473.9

申请日：2008-08-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 亚历山大·N·勒纳 ,  蒂莫西·N·托马斯 ,  森德·拉马默蒂

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748

Abstract: 本发明的实施方式提供了用于退火半导体衬底的方法和装置。本发明的一个实施方式提供了包括设置成用于支撑衬底的第一衬底支架、设置成用于支撑衬底的第二衬底支架、连接到第一衬底支架并设置成在处理区和第一加载区之间移动第一衬底支架的梭，其中处理区具有设置成交替容纳第一衬底支架和第二衬底支架的处理体积。

公开(公告)号：CN108431924B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201680069176.X

申请日：2016-11-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷雨 ,  维卡什·班西埃 ,  吴凯 ,  傅新宇 ,  徐毅 ,  大东和也 ,  马飞跃 ,  普及特·阿咖瓦 ,  林驰筹 ,  吴典晔 ,  简国强 ,  薇·V·唐 ,  乔纳森·巴克 ,  张镁 ,  森德·拉马默蒂

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285

Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。

公开(公告)号：CN101896995B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880120627.3

申请日：2008-12-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 曾明贵(迈克尔) ,  诺曼·塔姆 ,  横田义孝 ,  阿古斯·查德拉 ,  罗伯特·纳瓦斯卡 ,  梅德赫拉恩·贝赫贾特 ,  森德·拉马默蒂 ,  凯达尔纳什·桑格姆 ,  亚历山大·N·勒纳

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  F27D7/06 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67098

Abstract: 本发明的实施例提供用于改善热处理期间的气体分布的设备及方法。本发明的一个实施例提供一种用于处理基板的设备，该设备包括：腔室主体，该腔室主体界定一处理容积；基板支撑件，该基板支撑件设置于该处理容积中，其中该基板支撑件配置以支撑并旋转该基板；气体入口组件，该气体入口组件耦接至该腔室主体的入口，并配置以提供第一气流至该处理容积；以及排气组件，该排气组件耦接至该腔室主体的出口，其中该气体入口组件及该排气组件设置在该腔室主体的相对侧，且该排气组件界定配置以延伸该处理容积的排气容积。

公开(公告)号：CN108431924A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680069176.X

申请日：2016-11-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷雨 ,  维卡什·班西埃 ,  吴凯 ,  傅新宇 ,  徐毅 ,  大东和也 ,  马飞跃 ,  普及特·阿咖瓦 ,  林驰筹 ,  吴典晔 ,  简国强 ,  唐薇 ,  薇·V·唐 ,  乔纳森·巴克 ,  森德·拉马默蒂

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/08 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。

公开(公告)号：CN102160157B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200980136613.5

申请日：2009-09-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯蒂芬·莫法特 ,  阿布拉什·J·马约尔 ,  森德·拉马默蒂 ,  约瑟夫·拉内什 ,  阿伦·亨特

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明提供一种用于处理基板的方法及设备。将所述基板定位于热处理腔室中的支撑件上。将电磁辐射导向所述基板以退火所述基板的一部分。将其它电磁辐射导向所述基板以预热所述基板的一部分。所述预热降低所述预热区域与所述退火区域之间的边界处的热应力。按特定实施方式的需要，预期任何数量的退火区域及预热区域，所述退火区域及预热区域具有可变的形状及温度分布。可使用诸如激光、热灯、白光灯或闪光灯的任何适当的电磁辐射源。