公开(公告)号：CN108431924B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201680069176.X

申请日：2016-11-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷雨 ,  维卡什·班西埃 ,  吴凯 ,  傅新宇 ,  徐毅 ,  大东和也 ,  马飞跃 ,  普及特·阿咖瓦 ,  林驰筹 ,  吴典晔 ,  简国强 ,  薇·V·唐 ,  乔纳森·巴克 ,  张镁 ,  森德·拉马默蒂

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285

Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。

公开(公告)号：CN108431924A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680069176.X

申请日：2016-11-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 雷雨 ,  维卡什·班西埃 ,  吴凯 ,  傅新宇 ,  徐毅 ,  大东和也 ,  马飞跃 ,  普及特·阿咖瓦 ,  林驰筹 ,  吴典晔 ,  简国强 ,  唐薇 ,  薇·V·唐 ,  乔纳森·巴克 ,  森德·拉马默蒂

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/08 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。