公开(公告)号：CN111180359A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911029308.8

申请日：2019-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 本杰明·科伦坡 ,  龚圣钦 ,  帕特里夏·M·刘

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 一般，本文描述的实施例涉及用于在形成为超晶格的一部分的修整的层上形成包覆层的集成解决方案。在一个实施例中，在处理系统的第一处理腔室中选择性地蚀刻第一材料。所述第一材料设置在处于基板上的沟道区域中的所述第一材料和第二材料的交替层内。在所述处理系统的所述第一处理腔室中修整所述第二材料的一部分。将所述基板从所述处理系统的所述第一处理腔室传送到所述处理系统的第二处理腔室，而不将所述基板暴露于在所述处理系统外部的周边环境。在所述处理系统的所述第二处理腔室中在所修整的第二材料的相应层上外延地生长包覆层。

公开(公告)号：CN111180359B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN201911029308.8

申请日：2019-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 本杰明·科伦坡 ,  龚圣钦 ,  帕特里夏·M·刘

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 一般，本文描述的实施例涉及用于在形成为超晶格的一部分的修整的层上形成包覆层的集成解决方案。在一个实施例中，在处理系统的第一处理腔室中选择性地蚀刻第一材料。所述第一材料设置在处于基板上的沟道区域中的所述第一材料和第二材料的交替层内。在所述处理系统的所述第一处理腔室中修整所述第二材料的一部分。将所述基板从所述处理系统的所述第一处理腔室传送到所述处理系统的第二处理腔室，而不将所述基板暴露于在所述处理系统外部的周边环境。在所述处理系统的所述第二处理腔室中在所修整的第二材料的相应层上外延地生长包覆层。

公开(公告)号：CN115702476A

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202180043288.9

申请日：2021-06-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 史蒂文·C·洪 ,  本杰明·科伦坡 ,  阿布舍克·杜贝 ,  龚圣钦 ,  帕特里夏·M·刘 ,  马尔科姆·J·贝文 ,  约翰内斯·斯温伯格

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

Abstract: 可执行处理方法以产生半导体结构。这些方法可包括在半导体基板之上形成硅层。此形成可包括形成并入掺杂剂的硅层。这些方法可包括使此硅层的一部分氧化，同时保持此硅层的一部分与此半导体基板接触。此氧化可驱使此掺杂剂的一部分通过此硅层且进入此半导体基板。