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公开(公告)号：CN105453233B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201480043644.7
申请日：2014-07-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·S·奥尔森 , 特里萨·克莱默·瓜里尼 , 杰弗里·托宾 , 劳拉·哈夫雷查克 , 彼得·斯通 , 洛志威 , 乔普拉·索拉布
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的实施方式大体涉及从基板表面移除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包括利用等离子体工艺移除设置于基板表面上的污染物，并接着通过利用远程等离子体辅助干式蚀刻工艺清洁基板表面。
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公开(公告)号：CN102893705B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201180024010.3
申请日：2011-04-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 坎芬·莱 , 杰弗里·托宾 , 彼得·I·波尔施内 , 乔斯·安东尼奥·马林
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32541 , H01J2237/33
Abstract: 本发明提供用于基板的等离子体处理的方法与装置。处理腔室具有基板支撑件与面向该基板支撑件的盖组件。该盖组件具有包括电感应线圈的等离子体源，该电感应线圈被配置于导电平板内，该导电平板可包括被嵌套的导电环。该电感应线圈与导电平板实质上共平面，并由绝缘体与导电平板绝缘，该绝缘体适配于通道内，该通道形成于导电平板中，或嵌套于导电环内。于电感应线圈周围提供场集中器，并且该场集中器由隔离器与电感应线圈绝缘。该等离子体源由导电支撑板支撑。气体分配器将气体从穿过导电平板配置的导管，经由穿过支撑平板与等离子体源的中心开孔，而供应至该腔室。
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公开(公告)号：CN105679633A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610052742.8
申请日：2012-06-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/321 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/3211 , H01L27/11524
Abstract: 本发明的实施方式提供用于堆叠的材料的氮化作用的改良设备与方法。在一个实施方式中，远程等离子体系统包括远程等离子体腔室、处理腔室与输送构件，远程等离子体腔室界定第一区，第一区用于产生包括离子与游离基团的等离子体，处理腔室界定第二区，第二区用于处理半导体器件，处理腔室包括进入口端口，进入口端口形成于处理腔室的侧壁中，进入口端口与第二区流体连通，输送构件设置在远程等离子体腔室与处理腔室之间，且输送构件具有与第一区与进入口端口流体连通的通道，其中输送构件被配置以致通道的纵轴相对于进入口端口的纵轴以约20度至约80度的角度相交。
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公开(公告)号：CN107342253B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710619830.6
申请日：2014-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式大体涉及用于热处理腔室中的支撑圆柱。在一个实施方式中，支撑圆柱包括具有内周表面和外周表面的环形主体，其中环形主体包括不透明石英玻璃材料且其中环形主体被光学透明层涂布。光学透明层具有与不透明石英玻璃材料实质匹配或相似的热膨胀系数以减少热膨胀不匹配，热膨胀不匹配可在高热负载下产生热应力。在一个实例中，不透明石英玻璃材料是合成黑石英且光学透明层包括透明熔融石英材料。
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公开(公告)号：CN104813445B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380061088.1
申请日：2013-11-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02252 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/6719
Abstract: 提供了用于基板背侧钝化的设备和方法。系统包括狭长基板支撑件，狭长基板支撑件具有开放顶表面而形成支撑环，从而当基板位于支撑环上时，在狭长基板支撑件内形成腔。等离子体发生器耦接至腔，以于腔内产生等离子体，从而在基板背侧上沉积钝化膜。
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公开(公告)号：CN107109688A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580073239.4
申请日：2015-12-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡廷克·拉马斯瓦米 , 卡尔蒂克·萨哈 , 尼欧·O·谬 , 舒伯特·S·楚 , 杰弗里·托宾 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 帕拉姆拉里·贾金德拉
IPC: C30B25/12 , C23C16/458
Abstract: 本文的实施方式大致涉及半导体基板的热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘、耦接至第一缘并被第一缘环绕的内部区域、及一个或多个形成在内部区域上的环状突出。所述一个或多个环状突出可被形成在内部区域上的与被形成在基板上的谷的位置对应的位置处，并且所述一个或多个环状突出有助于减少或消除谷的形成。
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公开(公告)号：CN105453233A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480043644.7
申请日：2014-07-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·S·奥尔森 , 特里萨·克莱默·瓜里尼 , 杰弗里·托宾 , 劳拉·哈夫雷查克 , 彼得·斯通 , 洛志威 , 乔普拉·索拉布
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的实施方式大体涉及从基板表面移除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包括利用等离子体工艺移除设置于基板表面上的污染物，并接着通过利用远程等离子体辅助干式蚀刻工艺清洁基板表面。
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公开(公告)号：CN110724938B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201910869304.4
申请日：2015-04-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本文所述的实施方式涉及具有反射板的喷头，反射板带有用于径向分配气体的气体注入插件。在一个实施方式中，喷头组件包括反射板与气体注入插件。反射板包括至少一个气体注入口。气体注入插件设置于反射板中，且包括多个孔。气体注入插件还包括设置于气体注入插件中的挡板，其中挡板还包括多个孔。第一气室形成于挡板的第一部分与反射板之间，及第二气室形成于挡板的第二部分与反射板之间。气体注入插件的多个孔与挡板的多个孔不轴向对齐。
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公开(公告)号：CN107112265B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201580072859.6
申请日：2015-11-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 石井才人 , 穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 , 刘树坤 , 杰弗里·托宾
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B35/00
Abstract: 在一个实施方式中，一种基板支撑组件包括：基座，所述基座用于支撑基板；和支撑传送机构，所述支撑传送机构耦接于所述基座，所述支撑传送机构具有一表面，所述表面用于支撑所述基板的周围边缘，所述支撑传送机构相对于所述基座的上表面为可移动的。
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公开(公告)号：CN104704613A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380052521.5
申请日：2013-10-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/0217 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6831
Abstract: 提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理具有第一层的基板的方法可包括以下步骤：设置基板于基板支撑件上，所述基板支撑件位于工艺腔室的下处理空间内且在离子防护件下，所述离子防护件具有被施加到所述离子防护件的偏压功率，所述离子防护件包括实质上平坦部件和多个孔，所述实质上平坦部件被支撑成平行于所述基板支撑件，所述多个孔被形成为穿过所述平坦部件，其中所述孔的直径与所述平坦部件的厚度的比具有约10:1至约1:10的范围；使工艺气体流动到所述离子防护件上方的上处理空间内；在所述上处理空间中从所述工艺气体形成等离子体；用通过所述离子防护件的中性自由基来处理所述第一层；并将所述基板加热到高达约550℃的温度，同时处理所述第一层。
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