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公开(公告)号：CN117178350A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280027625.X
申请日：2022-04-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿拉·莫拉迪亚 , 伊丽莎白·内维尔 , 乌梅什·马德哈夫·克尔卡尔 , 马克·R·德诺姆 , 普拉沙斯·科斯努 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 卡尔蒂克·萨哈 , 奥兰多·特雷霍 , 谢尔盖·梅罗维奇
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种方法，包括由处理装置接收对第一制造处理或第一制造设备中的至少一者的第一选择以执行第一制造处理的制造操作。该方法可进一步包括将第一选择输入至第一制造设备的数字副本中，其中数字副本输出第一制造处理的物理条件。该方法可进一步包括基于第制造处理的物理条件确定指示在第一制造设备上运行的第一制造处理的第一环境资源消耗的环境资源使用数据。处理装置可进一步确定对第一制造处理进行的修改，该修改减少在第一制造设备上运行的第一制造处理的环境资源消耗。该方法可进一步包括执行将修改应用于第一制造中的至少一者。
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公开(公告)号：CN107004619B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201580061349.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 舒伯特·S·楚 , 卡尔蒂克·萨哈 , 安哈图·恩戈 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 维皮·帕塔克 , 尼欧·O·谬 , 保罗·布里尔哈特 , 理查德·O·柯林斯 , 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 , 埃德里克·唐 , 哲鹏·丛 , 常安中 , 劳建邦 , 马尼施·赫姆卡
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004619A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580061349.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 舒伯特·S·楚 , 卡尔蒂克·萨哈 , 安哈图·恩戈 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 维皮·帕塔克 , 尼欧·O·谬 , 保罗·布里尔哈特 , 理查德·O·柯林斯 , 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 , 埃德里克·唐 , 哲鹏·丛 , 常安中 , 劳建邦 , 马尼施·赫姆卡
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
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公开(公告)号：CN116802653A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202280012111.7
申请日：2022-01-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 普拉沙斯·科斯努 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 阿吉特•巴拉克里斯南 , 卡尔蒂克·萨哈 , 乌梅什•克尔卡尔 , 维希瓦·帕迪 , 普拉松·舒克拉 , 苏希尔·阿伦·萨曼特
IPC: G06N20/20
Abstract: 本文所述的实施方式包括用于产生为半导体处理设备中的处理建模的混合模型的处理。在特定实施方式中，建立混合机器学习模型的方法包含识别跨越第一范围的处理和/或硬件参数的第一组案例，并且在实验室中针对第一组案例进行实验。该方法可进一步包含编译来自实验的实验输出，并且针对第一组案例进行基于物理的模拟。在实施方式中，该方法可进一步包含编译来自模拟的模型输出，并且利用机器学习算法将模型输出与实验输出相关联以提供混合机器学习模型。
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公开(公告)号：CN107109688A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580073239.4
申请日：2015-12-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡廷克·拉马斯瓦米 , 卡尔蒂克·萨哈 , 尼欧·O·谬 , 舒伯特·S·楚 , 杰弗里·托宾 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 , 帕拉姆拉里·贾金德拉
IPC: C30B25/12 , C23C16/458
Abstract: 本文的实施方式大致涉及半导体基板的热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘、耦接至第一缘并被第一缘环绕的内部区域、及一个或多个形成在内部区域上的环状突出。所述一个或多个环状突出可被形成在内部区域上的与被形成在基板上的谷的位置对应的位置处，并且所述一个或多个环状突出有助于减少或消除谷的形成。
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公开(公告)号：CN116209965A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180064973.X
申请日：2021-09-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿拉·莫拉迪亚 , 詹姆斯·奥马尔·勒赫 , 盛殊然 , 罗希特·马哈卡里 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 张林 , 乌梅什·马德哈夫·克尔卡尔 , 格沛拉克里西那·B·普拉布 , 政·元 , 吴正勋
IPC: G05B23/02
Abstract: 一种方法包括：从沿着输送管线定位的多个传感器接收测量数据，该输送管线将液体作为气体输送到气体面板或处理腔室的一者；使用计算机生成的模型仿真与输送管线和在输送管线周围定位的多个加热器护套相关联的一个或多个处理参数；将测量数据与一个或多个处理参数的值进行比较；和基于在测量数据与一个或多个处理参数的值之间的至少阈值偏差，确定存在与维持输送管线内的温度与液体的气态一致相关联的故障。
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公开(公告)号：CN108352353A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680065312.8
申请日：2016-10-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/687
CPC classification number: C23C16/4583 , C23C16/4581 , C23C16/4584 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68714 , H01L21/68735
Abstract: 在一个实施方式中，提供一种基座，包含：第一主要表面，所述第一主要表面与第二主要表面相对；和设置于所述第一主要表面上的多个接触结构，这些接触结构的每一者至少部分地被多个径向定向的凹槽的其中一者或多者和环状凹槽环绕，其中所述多个接触结构的每一者包含基板接触表面，这些基板接触表面的每一者位于以0.1毫米的距离分开的两个平行平面之间，且这些基板接触表面界定基板接收表面。
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