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公开(公告)号：CN107004619B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201580061349.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 舒伯特·S·楚 , 卡尔蒂克·萨哈 , 安哈图·恩戈 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 维皮·帕塔克 , 尼欧·O·谬 , 保罗·布里尔哈特 , 理查德·O·柯林斯 , 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 , 埃德里克·唐 , 哲鹏·丛 , 常安中 , 劳建邦 , 马尼施·赫姆卡
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
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公开(公告)号：CN102414844B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080019514.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·尼杰哈瓦 , B·H·伯罗斯 , 石川哲也 , O·克利里欧科 , A·瓦苏德范 , 苏杰 , D·H·考齐 , 常安中 , Y·梅尔尼克 , H·S·拉迪雅 , S·T·恩古耶 , L·庞
CPC classification number: H01L21/67109 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L33/007
Abstract: 本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层；在第二处理腔室中，通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层；以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。
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公开(公告)号：CN102414844A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019514.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·尼杰哈瓦 , B·H·伯罗斯 , 石川哲也 , O·克利里欧科 , A·瓦苏德范 , 苏杰 , D·H·考齐 , 常安中 , Y·梅尔尼克 , H·S·拉迪雅 , S·T·恩古耶 , L·庞
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L21/67109 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L33/007
Abstract: 本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层；在第二处理腔室中，通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层；以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。
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公开(公告)号：CN107004619A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580061349.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 舒伯特·S·楚 , 卡尔蒂克·萨哈 , 安哈图·恩戈 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 维皮·帕塔克 , 尼欧·O·谬 , 保罗·布里尔哈特 , 理查德·O·柯林斯 , 凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔 , 埃德里克·唐 , 哲鹏·丛 , 常安中 , 劳建邦 , 马尼施·赫姆卡
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
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公开(公告)号：CN102934204B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201180028838.6
申请日：2011-06-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 仲华 , 董希子 , 基奥温·貌 , 塙広二 , 姜圣元 , 戴维·H·夸 , 唐纳德·J·K·奥尔加多 , 戴维·布尔 , 许伟勇 , 亚历山大·塔姆 , 常安中 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚
IPC: H01L21/205 , H01L21/302
CPC classification number: B08B5/00 , C23C16/4405 , C23C16/45506 , C23C16/45591 , H01L21/02041 , H01L21/67115 , Y10S438/905
Abstract: 本发明的实施例一般涉及利用清洁板来清洁腔室部件的设备与方法。清洁板用以在清洁工艺期间定位在基板支架上，且清洁板包含多个紊流诱导结构。当清洁板在清洁工艺期间旋转时，紊流诱导结构会诱导出清洁气体的紊流。清洁板增加了清洁气体在清洁期间中在喷头附近的停留时间。此外，清洁板降低了清洁板内的浓度梯度，以提供更有效的清洁。所述方法包含定位所述清洁板为与喷头相邻，以及将清洁气体引入至喷头与清洁板之间的空间中。接着，沉积在喷头表面的材料会被加热，且在存在清洁气体的同时汽化，然后被排出处理腔室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104485277B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410593230.3
申请日：2010-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376
Abstract: 本文所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
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公开(公告)号：CN104485277A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410593230.3
申请日：2010-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376
Abstract: 本文所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
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公开(公告)号：CN102414792B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201080019517.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376
Abstract: 本发明揭露的实施例大致关于HVPE腔室。腔室可具有与该腔室耦接的两个分离的前驱物源以便沉积两个分离的层。举例而言，镓源与分离的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝分离的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
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公开(公告)号：CN102934204A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180028838.6
申请日：2011-06-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 仲华 , 董希子 , 基奥温·貌 , 塙広二 , 姜圣元 , 戴维·H·夸 , 唐纳德·J·K·奥尔加多 , 戴维·布尔 , 许伟勇 , 亚历山大·塔姆 , 常安中 , 萨姆埃德霍·阿卡赖亚
IPC: H01L21/205 , H01L21/302
CPC classification number: B08B5/00 , C23C16/4405 , C23C16/45506 , C23C16/45591 , H01L21/02041 , H01L21/67115 , Y10S438/905
Abstract: 本发明的实施例一般涉及利用清洁板来清洁腔室部件的设备与方法。清洁板用以在清洁工艺期间定位在基板支架上，且清洁板包含多个紊流诱导结构。当清洁板在清洁工艺期间旋转时，紊流诱导结构会诱导出清洁气体的紊流。清洁板增加了清洁气体在清洁期间中在喷头附近的停留时间。此外，清洁板降低了清洁板内的浓度梯度，以提供更有效的清洁。所述方法包含定位所述清洁板为与喷头相邻，以及将清洁气体引入至喷头与清洁板之间的空间中。接着，沉积在喷头表面的材料会被加热，且在存在清洁气体的同时汽化，然后被排出处理腔室。
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公开(公告)号：CN102414792A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019517.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B29/403 , C23C16/34 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10T137/479 , Y10T137/4807 , Y10T137/4824 , Y10T137/7504 , Y10T137/8376
Abstract: 本发明揭露的实施例大致关于HVPE腔室。腔室可具有与该腔室耦接的两个分离的前驱物源以便沉积两个分离的层。举例而言，镓源与分离的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝分离的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
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