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公开(公告)号：CN101911253B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980101679.0
申请日：2009-01-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/303 , C23C16/46 , C23C16/481 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67207
Abstract: 提供一种用来监视和控制用于组合工具的基板处理参数的方法和装置，所述组合工具利用化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积。在一个实施方式中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在处理室内在多个基板上沉积III族氮化物膜。闭环控制系统执行原位监视III族氮化物膜生长速率，并且根据需要来调整膜生长参数以保持目标生长速率。在另一实施方式中，闭环控制系统对于一个或多个膜沉积系统的多个处理室执行原位监视膜生长参数。
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公开(公告)号：CN102414801A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019520.7
申请日：2010-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404 , C23C16/45574 , H01L21/67115
Abstract: 一种方法与设备，用于从处理腔室的内部表面去除沉积产物，以及用于防止或减缓此类沉积产物的生长。提供含卤素气体至该腔室以蚀刻去除沉积产物。提供卤素驱除气体至腔室以去除任何残余的卤素。通过将卤素驱除气体暴露至电磁能而大体上活化卤素驱除气体，这既可在处理腔室内通过热能实现，亦可在远程腔室中通过电场、UV或微波实现。为了在腔室的内部表面上形成抗沉积膜，可添加沉积前驱物至卤素驱除气体。附加地或替代地，可通过在PVD制程中将抗沉积金属溅射于处理腔室的内部部件上而形成抗沉积膜。
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公开(公告)号：CN102414844B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080019514.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·尼杰哈瓦 , B·H·伯罗斯 , 石川哲也 , O·克利里欧科 , A·瓦苏德范 , 苏杰 , D·H·考齐 , 常安中 , Y·梅尔尼克 , H·S·拉迪雅 , S·T·恩古耶 , L·庞
CPC classification number: H01L21/67109 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L33/007
Abstract: 本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层；在第二处理腔室中，通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层；以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。
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公开(公告)号：CN101831694B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201010190563.3
申请日：2008-10-06
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45578 , C30B29/403
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及用于通过氢化物气相外延(HVPE)工艺形成III-V族材料的方法。在一个实施方式中，提供了一种用于在处理室中基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成加热的金属源；其中加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或其组合物，将加热的金属源暴露到氯气同时形成金属氯化物气体，在HVPE工艺期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前体气体同时在基板上形成金属氮化物层。该方法还提供了在形成金属氮化物层之前的预处理工艺期间将基板暴露到氯气。在一个实例中，在预处理工艺期间将处理室的排气管道加热到约200℃以下。
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公开(公告)号：CN102414844A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019514.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·尼杰哈瓦 , B·H·伯罗斯 , 石川哲也 , O·克利里欧科 , A·瓦苏德范 , 苏杰 , D·H·考齐 , 常安中 , Y·梅尔尼克 , H·S·拉迪雅 , S·T·恩古耶 , L·庞
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L21/67109 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L33/007
Abstract: 本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层；在第二处理腔室中，通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层；以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102640259A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201180001952.X
申请日：2011-03-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏杰
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/301 , C23C16/303 , C23C16/54 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明大致提供形成LED构造的设备与方法。选择蓝宝石基板的一实施例中，块状III族-氮化物的生成可沉积于HVPE或MOCVD腔室中，而分隔处理腔室(诸如，PVD、MOCVD、CVD或ALD腔室)可用来在较低生成速率下生成缓冲层于蓝宝石基板上。缓冲层可为GaN、AlN、AlGaN、InGaN或InAlGaN。选择硅-基基板的另一实施例中，块状III族-氮化物的生成可沉积于其中提供不具Al环境的HVPE或MOCVD腔室中，而不具Ga环境的分隔处理腔室是用来生成不具Ga的缓冲层(诸如，Al、AlN或SiN)于硅-基基板上。分隔处理腔室可为PVD、CVD、MOCVD、等离子体辅助MOCVD或其它气相沉积技术。
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公开(公告)号：CN102484175A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039739.3
申请日：2010-07-30
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/04 , H01L33/325
Abstract: 量子阱结构的一个实施方式包含有源区，所述有源区包括有源层，所述有源层包含量子阱和障壁层，其中有源层中的一些或全部为p型掺杂的。P型掺杂有源层中的一些或全部通过将P-N结的位置定位在元件的有源区中进而使主要辐射复合能够发生在有源区内，来改良III-V化合物半导体发光二极管的量子效率。在一个实施方式中，在具有含共晶源合金的氢化物气相外延(HVPE)沉积腔室的组合工具中制造量子阱结构。在一个实施方式中，通过组合工具在分离腔室中生长氮化铟镓(InGaN)层和镁掺杂的氮化镓(Mg-GaN)或镁掺杂的氮化铝镓(Mg-AlGaN)层，避免铟与镁交叉污染。也描述了通过使用III族金属共晶的氢化物气相外延进行对III族氮化物的掺杂。在一个实施方式中，提供用于p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的源，所述源包括与III族物种的液相机械(共晶)混合物。在一个实施方式中，提供用于执行p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的方法，所述方法包括使用与III族物种的液相机械(共晶)混合物。
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公开(公告)号：CN101409233B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200810168234.1
申请日：2008-10-06
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45578 , C30B29/403
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及用于通过氢化物气相外延(HVPE)工艺形成III-V族材料的方法。在一个实施方式中，提供了一种用于在处理室中基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成加热的金属源；其中加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或其组合物，将加热的金属源暴露到氯气同时形成金属氯化物气体，在HVPE工艺期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前体气体同时在基板上形成金属氮化物层。该方法还提供了在形成金属氮化物层之前的预处理工艺期间将基板暴露到氯气。在一个实例中，在预处理工艺期间将处理室的排气管道加热到约200℃以下。
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公开(公告)号：CN102414846A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019538.7
申请日：2010-10-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏杰
IPC: H01L33/02 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C16/301 , C23C16/4481 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/46 , C23C16/481 , C23C16/54 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/67207 , H01L33/007
Abstract: 本文所述实施例大致关于藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理与/或氢化物气相磊晶(HVPE)处理形成III-V族材料的方法。一实施例中，在第一腔室中于基板上执行III1族-N层的沉积，在第二腔室中于基板执行III2族-N层的沉积，并在与沉积III2族-N层的腔室不同的腔室中于基板上执行III3族-N层的沉积。在III2族-N层沉积与III3族-N层沉积之间，于基板上执行一或多个表面处理以降低界面处的非辐射复合并改善生成结构的整体电致发光。
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公开(公告)号：CN102560633B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210028187.7
申请日：2008-10-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: C30B25/02 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B29/40
CPC classification number: C30B25/02 , C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45578 , C30B29/403
Abstract: 本发明的实施方式主要涉及用于通过氢化物气相外延(HVPE)工艺形成III-V族材料的方法。在一个实施方式中，提供了一种用于在处理室中基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成加热的金属源；其中加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或它们的组合物，将加热的金属源暴露到氯气同时形成金属氯化物气体，在HVPE工艺期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前体气体同时在基板上形成金属氮化物层。该方法还提供了在形成金属氮化物层之前的预处理工艺期间将基板暴露到氯气。在一个实例中，在预处理工艺期间将处理室的排气管道加热到约200℃以下。
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