公开(公告)号：CN102414801A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019520.7

申请日：2010-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏杰 ,  L·华盛顿 ,  S·尼杰哈瓦 ,  O·克利里欧科 ,  J·格雷森 ,  S·W·康 ,  D·H·李 ,  H·钟

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/67115

Abstract: 一种方法与设备，用于从处理腔室的内部表面去除沉积产物，以及用于防止或减缓此类沉积产物的生长。提供含卤素气体至该腔室以蚀刻去除沉积产物。提供卤素驱除气体至腔室以去除任何残余的卤素。通过将卤素驱除气体暴露至电磁能而大体上活化卤素驱除气体，这既可在处理腔室内通过热能实现，亦可在远程腔室中通过电场、UV或微波实现。为了在腔室的内部表面上形成抗沉积膜，可添加沉积前驱物至卤素驱除气体。附加地或替代地，可通过在PVD制程中将抗沉积金属溅射于处理腔室的内部部件上而形成抗沉积膜。

公开(公告)号：CN102174708B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110079465.7

申请日：2007-04-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·尼杰哈瓦 ,  D·布尔 ,  L·华盛顿 ,  J·史密斯 ,  R·斯蒂文斯 ,  D·埃格莱希姆

IPC: C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B35/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67155

Abstract: 在此提出制造复合氮化物半导体结构的设备及方法。III族前驱物和氮前驱物流入第一处理室，以利用热化学气相沉积工艺沉积第一层于基材上。基材从第一处理室传送到第二处理室。III族前驱物和氮前驱物流入第二处理室，以利用热化学气相沉积工艺沉积第二层于第一层上。第一与第二III族前驱物具有不同的III族元素。