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公开(公告)号：CN102414801A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019520.7
申请日：2010-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404 , C23C16/45574 , H01L21/67115
Abstract: 一种方法与设备，用于从处理腔室的内部表面去除沉积产物，以及用于防止或减缓此类沉积产物的生长。提供含卤素气体至该腔室以蚀刻去除沉积产物。提供卤素驱除气体至腔室以去除任何残余的卤素。通过将卤素驱除气体暴露至电磁能而大体上活化卤素驱除气体，这既可在处理腔室内通过热能实现，亦可在远程腔室中通过电场、UV或微波实现。为了在腔室的内部表面上形成抗沉积膜，可添加沉积前驱物至卤素驱除气体。附加地或替代地，可通过在PVD制程中将抗沉积金属溅射于处理腔室的内部部件上而形成抗沉积膜。
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公开(公告)号：CN102414786B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201080019364.4
申请日：2010-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L33/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明的实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，藉由金属?有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族?V族材料)后自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法。该方法包括：在置于基板处理腔室中的基板上沉积一或多个含III族的层；传送该基板使其离开基板处理腔室；及脉动地输送含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的至少一部分。
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公开(公告)号：CN102414786A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019364.4
申请日：2010-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L33/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明的实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族-V族材料)后自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法。该方法包括：在置于基板处理腔室中的基板上沉积一或多个含III族的层；传送该基板使其离开基板处理腔室；及脉动地输送含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的至少一部分。
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