公开(公告)号：CN102414786B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201080019364.4

申请日：2010-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·克利里欧科 ,  J·苏 ,  K·格里芬 ,  S·W·田 ,  S·尼杰哈瓦 ,  X·董 ,  T·普恩 ,  L·D·华盛顿 ,  J·格雷森

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，藉由金属?有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族?V族材料)后自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法。该方法包括：在置于基板处理腔室中的基板上沉积一或多个含III族的层；传送该基板使其离开基板处理腔室；及脉动地输送含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的至少一部分。

公开(公告)号：CN102414786A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019364.4

申请日：2010-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： O·克利里欧科 ,  J·苏 ,  K·格里芬 ,  S·W·田 ,  S·尼杰哈瓦 ,  X·董 ,  T·普恩 ,  L·D·华盛顿 ,  J·格雷森

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族-V族材料)后自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法。该方法包括：在置于基板处理腔室中的基板上沉积一或多个含III族的层；传送该基板使其离开基板处理腔室；及脉动地输送含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的至少一部分。