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公开(公告)号：CN108770167B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810400150.X
申请日：2014-08-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/24
Abstract: 描述了一种用于处理腔室的模块化等离子体源组件。所述组件包括RF热电极且具有邻接电极的侧而定位的端部电介质和滑动式接地连接件。密封箔将滑动式接地连接件连接至外壳以提供接地的滑动式接地连接件，所述接地的滑动式接地连接件通过端部电介质与热电极分开。同轴馈送线穿过导管而进入与处理环境隔离的RF热电极，使得当等离子体处理区域处于减小的压力下时，同轴RF馈送线处于大气压力下。
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公开(公告)号：CN107743529B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201680034786.6
申请日：2016-06-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 用于处理基板的装置及方法包括注射器单元，该注射器单元包括沿该注射器单元的长度延伸的前反应气体端口、沿该注射器单元的该长度延伸的后反应气体端口以及在该前反应气体端口及该后反应气体端口周围形成边界且封闭该前反应气体端口及该后反应气体端口的合并真空端口。
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公开(公告)号：CN107974668B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201711376963.1
申请日：2014-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及基座组件及处理室。本文所描述的是气体分配组件及由数个扇形(pie‑shaped)区段制成的基座组件，该数个扇形区段可以被个别地整平、移动或变换。本文还描述的是包含气体分配组件、基座组件及感测器的处理室，并具有反馈电路来调整该基座和该气体分配组件之间的缝隙。本文还描述的是使用该等气体分配组件、基座组件及处理室的方法。
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公开(公告)号：CN105474362B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480045378.1
申请日：2014-08-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32513 , H01J37/32541 , H01J37/32568
Abstract: 描述了一种用于处理腔室的模块化等离子体源组件。所述组件包括RF热电极且具有邻接电极的侧而定位的端部电介质和滑动式接地连接件。密封箔将滑动式接地连接件连接至外壳以提供接地的滑动式接地连接件，所述接地的滑动式接地连接件通过端部电介质与热电极分开。同轴馈送线穿过导管而进入与处理环境隔离的RF热电极，使得当等离子体处理区域处于减小的压力下时，同轴RF馈送线处于大气压力下。
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公开(公告)号：CN107974668A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711376963.1
申请日：2014-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及基座组件及处理室。本文所描述的是气体分配组件及由数个扇形(pie-shaped)区段制成的基座组件，该数个扇形区段可以被个别地整平、移动或变换。本文还描述的是包含气体分配组件、基座组件及感测器的处理室，并具有反馈电路来调整该基座和该气体分配组件之间的缝隙。本文还描述的是使用该等气体分配组件、基座组件及处理室的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107208266A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007014.3
申请日：2016-01-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/45561 , C23C16/4584
Abstract: 公开用于空间式原子层沉积的设备和方法。所述设备包括气体递送系统，所述气体递送系统包含第一气体和第二气体，所述第一气体流动通过与阀流体连通的多个腿部，并且所述第二气体流动通过多个腿部进入所述阀。
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公开(公告)号：CN107075679A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053168.1
申请日：2015-10-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 一种用于在基板处理腔室中使用的加热模块。加热模块具有外壳，外壳中具有加热源。加热模块可以是设置于基座组件上方的气体分布组件的一部分，以直接加热基座的顶表面和晶片。加热模块可具有恒定的或可变的功率输出。描述了使用加热模块处理晶片的处理腔室及方法。
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公开(公告)号：CN105074049A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480009192.0
申请日：2014-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4583 , H01L21/0228 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L22/10
Abstract: 所描述为用于处理半导体晶圆的装置及方法，其中在晶圆表面及气体分配组件之间的空隙保持一致且具有已知的厚度。晶圆放置于基座组件内且该组件使用致动器被举起往气体分配组件。可通过产生晶圆下方及/或上方的流体轴承，以举起该晶圆往气体分配组件。
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公开(公告)号：CN105051860A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480015790.9
申请日：2014-03-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45557 , C23C16/4409 , C23C16/45544 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/4584 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/68785
Abstract: 揭示包括盖组件的处理腔室，该盖组件在注入器组件之上形成空间，以减少该注入器组件由于该注入器组件的处理侧与该注入器组件的大气侧之间的压力差所导致的偏移。
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公开(公告)号：CN111742401B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201980014053.X
申请日：2019-02-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , C23C16/455
Abstract: 描述了加热器，加热器具有有顶部和底部的主体，加热器包括热解氮化硼(PBN)、第一加热器电极、和第二加热器电极。加热器电极可以封闭在电绝缘支座内并连接到单独的汇流条以提供电力。还描述了包括一个或多个加热器的加热器组件和包括该加热器组件的处理腔室。
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