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公开(公告)号：CN102414801A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019520.7
申请日：2010-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404 , C23C16/45574 , H01L21/67115
Abstract: 一种方法与设备，用于从处理腔室的内部表面去除沉积产物，以及用于防止或减缓此类沉积产物的生长。提供含卤素气体至该腔室以蚀刻去除沉积产物。提供卤素驱除气体至腔室以去除任何残余的卤素。通过将卤素驱除气体暴露至电磁能而大体上活化卤素驱除气体，这既可在处理腔室内通过热能实现，亦可在远程腔室中通过电场、UV或微波实现。为了在腔室的内部表面上形成抗沉积膜，可添加沉积前驱物至卤素驱除气体。附加地或替代地，可通过在PVD制程中将抗沉积金属溅射于处理腔室的内部部件上而形成抗沉积膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102174708B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110079465.7
申请日：2007-04-11
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C30B25/14 , C30B29/403 , C30B35/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67155
Abstract: 在此提出制造复合氮化物半导体结构的设备及方法。III族前驱物和氮前驱物流入第一处理室，以利用热化学气相沉积工艺沉积第一层于基材上。基材从第一处理室传送到第二处理室。III族前驱物和氮前驱物流入第二处理室，以利用热化学气相沉积工艺沉积第二层于第一层上。第一与第二III族前驱物具有不同的III族元素。
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公开(公告)号：CN102414844B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080019514.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·尼杰哈瓦 , B·H·伯罗斯 , 石川哲也 , O·克利里欧科 , A·瓦苏德范 , 苏杰 , D·H·考齐 , 常安中 , Y·梅尔尼克 , H·S·拉迪雅 , S·T·恩古耶 , L·庞
CPC classification number: H01L21/67109 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L33/007
Abstract: 本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层；在第二处理腔室中，通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层；以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。
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公开(公告)号：CN102414844A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019514.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·尼杰哈瓦 , B·H·伯罗斯 , 石川哲也 , O·克利里欧科 , A·瓦苏德范 , 苏杰 , D·H·考齐 , 常安中 , Y·梅尔尼克 , H·S·拉迪雅 , S·T·恩古耶 , L·庞
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L21/67109 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L33/007
Abstract: 本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层；在第二处理腔室中，通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层；以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。
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公开(公告)号：CN102414786B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201080019364.4
申请日：2010-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L33/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明的实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，藉由金属?有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族?V族材料)后自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法。该方法包括：在置于基板处理腔室中的基板上沉积一或多个含III族的层；传送该基板使其离开基板处理腔室；及脉动地输送含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的至少一部分。
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公开(公告)号：CN102414786A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019364.4
申请日：2010-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L33/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明的实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族-V族材料)后自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法。该方法包括：在置于基板处理腔室中的基板上沉积一或多个含III族的层；传送该基板使其离开基板处理腔室；及脉动地输送含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的至少一部分。
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