公开(公告)号：CN102414844B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201080019514.1

申请日：2010-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·尼杰哈瓦 ,  B·H·伯罗斯 ,  石川哲也 ,  O·克利里欧科 ,  A·瓦苏德范 ,  苏杰 ,  D·H·考齐 ,  常安中 ,  Y·梅尔尼克 ,  H·S·拉迪雅 ,  S·T·恩古耶 ,  L·庞

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层；在第二处理腔室中，通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层；以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。

公开(公告)号：CN102414844A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019514.1

申请日：2010-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·尼杰哈瓦 ,  B·H·伯罗斯 ,  石川哲也 ,  O·克利里欧科 ,  A·瓦苏德范 ,  苏杰 ,  D·H·考齐 ,  常安中 ,  Y·梅尔尼克 ,  H·S·拉迪雅 ,  S·T·恩古耶 ,  L·庞

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层；在第二处理腔室中，通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层；以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。