公开(公告)号：CN102174708B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110079465.7

申请日：2007-04-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·尼杰哈瓦 ,  D·布尔 ,  L·华盛顿 ,  J·史密斯 ,  R·斯蒂文斯 ,  D·埃格莱希姆

IPC: C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B35/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67155

Abstract: 在此提出制造复合氮化物半导体结构的设备及方法。III族前驱物和氮前驱物流入第一处理室，以利用热化学气相沉积工艺沉积第一层于基材上。基材从第一处理室传送到第二处理室。III族前驱物和氮前驱物流入第二处理室，以利用热化学气相沉积工艺沉积第二层于第一层上。第一与第二III族前驱物具有不同的III族元素。