公开(公告)号：CN102414801A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019520.7

申请日：2010-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏杰 ,  L·华盛顿 ,  S·尼杰哈瓦 ,  O·克利里欧科 ,  J·格雷森 ,  S·W·康 ,  D·H·李 ,  H·钟

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/67115

Abstract: 一种方法与设备，用于从处理腔室的内部表面去除沉积产物，以及用于防止或减缓此类沉积产物的生长。提供含卤素气体至该腔室以蚀刻去除沉积产物。提供卤素驱除气体至腔室以去除任何残余的卤素。通过将卤素驱除气体暴露至电磁能而大体上活化卤素驱除气体，这既可在处理腔室内通过热能实现，亦可在远程腔室中通过电场、UV或微波实现。为了在腔室的内部表面上形成抗沉积膜，可添加沉积前驱物至卤素驱除气体。附加地或替代地，可通过在PVD制程中将抗沉积金属溅射于处理腔室的内部部件上而形成抗沉积膜。

公开(公告)号：CN102414799A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019536.8

申请日：2010-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·哈那瓦 ,  K·J·芒 ,  H·钟

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/302

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/67115

Abstract: 沉积工艺期间，材料不仅可能沉积在基材上，而且也可能沉积在其他腔室部件上。在MOCVD腔室中，一种所述这样的部件为气体分配喷头。可透过以由包括惰气与氯气的等离子体所生成的自由基轰击所述喷头而清洁的。为了生成等离子体，喷头可受负偏压或者相对基材支撑件浮接。喷头可包含不锈钢且以陶瓷涂层涂布。

公开(公告)号：CN102414799B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080019536.8

申请日：2010-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·哈那瓦 ,  K·J·芒 ,  H·钟

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/302

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/67115

Abstract: 沉积工艺期间，材料不仅可能沉积在基材上，而且也可能沉积在其他腔室部件上。在MOCVD腔室中，一种所述这样的部件为气体分配喷头。可透过以由包括惰气与氯气的等离子体所生成的自由基轰击所述喷头而清洁的。为了生成等离子体，喷头可受负偏压或者相对基材支撑件浮接。喷头可包含不锈钢且以陶瓷涂层涂布。